| 摘要 |
<p>의미있는 정보를 기억하고, 데이타 보유를 위해 리프레시(refresh)를 필요로 하는 DRAM 등 기억 장치의 리프레시 간격을 슬립 상태에서 최적화하기 위한 것이다. 리프레시를 필요로 하는 기억 장치(13)의 리프레시 간격을 슬립(sleep) 상태에 있어서 제어하는 장치는 2중 오류 정정 이상의 정정이 가능한 부호로 부호화하는 부호화 회로(3) 및 오류 정정 및 복호를 실시하는 복호화 회로(5)와, 슬립 상태 이행 후, 기억 장치(13)에 보유되고 부호화 회로(3)에 의해 부호화된 데이타를 이용하여 리프레시 간격의 변경을, 복호화 회로(5)에 의해 정정이 불가능한 오류 행이 없고, 정정 가능한 오류 행의 수가 소정수 이내이며, 기억 장치의 리프레시를 실행하는 리프레시 실행 회로(15)가 대응 가능하게, 리프레시 간격이 가장 길어질 때까지 실시하고, 리프레시 간격의 변경이 종료한 후에는 당해 변경 종료 시의 리프레시 간격으로 기억 장치(13)의 리프레시를 실행하도록 리프레시 실행 회로(15)를 설정하는 리프레시 간격 변경 회로(7)를 갖는다.</p> |
