发明名称 MULTI-BANK SYSTEM SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE CAPABLE OF OPERATING AT HIGH SPEED
摘要 <p>본 발명의 반도체 집적 회로 장치(1000)는 복수의 뱅크 및 복수의 센스 앰프대를 포함한다. 각 센스 앰프대에 포함되는 스위치 회로는 전송선(9)의 신호를 수신받아, 뱅크로부터 판독한 신호를 컬럼 방향으로 배치되는 전역 데이터 입출력선(5)에 출력한다. 컬럼 뱅크 제어 신호를 출력하는 컬럼 뱅크 제어 회로(100)를 컬럼 디코더측에 배치한다. 컬럼 뱅크 제어 신호는 컬럼 방향으로 배치되는 컬럼 뱅크 제어 신호선(1)을 통해 전송선(9)에 공급된다. 스위치 회로는 컬럼 뱅크 제어 신호에 기초하여 동작한다.</p>
申请公布号 KR100303806(B1) 申请公布日期 2001.09.26
申请号 KR19990008720 申请日期 1999.03.16
申请人 null, null 发明人 츠쿠데마사키
分类号 G11C11/401;G11C7/06;G11C8/00;G11C8/12;G11C11/407;G11C11/409 主分类号 G11C11/401
代理机构 代理人
主权项
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