发明名称 Sense amplifier circuit of a nonvolatile semiconductor memory device
摘要
申请公布号 EP0758127(B1) 申请公布日期 2001.09.26
申请号 EP19960304435 申请日期 1996.06.13
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 KIM, MYUNG-JAE;JUNG, TAE-SUNG
分类号 G11C17/00;G11C7/06;G11C16/06;(IPC1-7):G11C7/06 主分类号 G11C17/00
代理机构 代理人
主权项
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