发明名称 | 磁性石榴石单晶膜及其制法,和使用该单晶膜的法拉第转子 | ||
摘要 | 本发明涉及Bi置换稀土类铁石榴石单晶膜及其制造方法,和使用该单晶膜的法拉第转子。其特征在于,在使用外延生长法生长Bi置换磁性石榴石单晶的磁性石榴石单晶膜的制造方法中,随着单晶膜的生长,使上述磁性石榴石单晶膜的晶格常数保持恒定或渐渐减少,接着,随着上述单晶膜的生长使上述晶格常数增加,以形成磁性石榴石单晶膜。 | ||
申请公布号 | CN1314506A | 申请公布日期 | 2001.09.26 |
申请号 | CN01108959.8 | 申请日期 | 2001.02.28 |
申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | 大井户敦;山泽和人 |
分类号 | C30B29/28;C30B19/00 | 主分类号 | C30B29/28 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 魏金玺;杨丽琴 |
主权项 | 1.一种磁性石榴石单晶膜,其特征是:该膜是使得晶格常数向着膜生长方向保持恒定或渐渐地减少,接着增加地进行成膜而成的单晶膜。 | ||
地址 | 日本东京都 |