Silicon wafer and its method of fabrication

摘要

Gegenstand der Erfindung ist eine Halbleiterscheibe aus Silicium, die mit Wasserstoff dotiert ist. Die Wasserstoff-Konzentration ist kleiner als 5*10<16> atcm<-3> und größer als 1*10<12> atcm<-3>. Gegenstand der Erfidnung ist auch ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe aus Silicium durch Abtrennen der Halbleiterscheibe von einem Einkristall, wobei der Einkristall nach der Czochralski-Methode in Gegenwart von Wasserstoff aus einer Schmelze gezogen wird. Der Wasserstoff-Partialdruck beträgt beim Ziehen des Einkristalls weniger als 3 mbar.