发明名称 一种晶圆崩应测试方法
摘要 一种晶圆崩应测试方法,首先,提供一晶圆,并在晶圆上形成复数个凸块,接着,设计一带状自动接合卷带,具有复数个焊垫,其中焊垫分别具有一对应电路及一外接点,使凸块与焊垫作电气接触,并对带状自动接合卷带输入电压与电流,以进行一崩应测试。因此,本发明在未封装前,就可以对整块晶圆进行全面测试,将所有不良之晶片事先以崩应测试检查出来。再者利用带状自动接合卷带内部电路可设计成多层模式,能够克服整片晶圆进行测试,所要求之复杂电路问题。
申请公布号 TW455978 申请公布日期 2001.09.21
申请号 TW087102080 申请日期 1998.02.16
申请人 联笙电子股份有限公司 发明人 郑兆钦;陈明先
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种晶圆崩应测试方法,包括:提供一晶圆,并在该晶圆上形成复数个凸块;设计一带状自动接合卷带,具有复数个焊垫,其中该些焊垫分别具有一对应电路及一外接点;将该些凸块与该些焊垫作电气接触;以及对该带状自动接合卷带输入复数个电压与复数个电流,以进行一测试。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该测试系对整个该晶圆进行一测试。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该对应电路系为一复数层电路。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该测试为利用该些外接点对该自动接合卷带输入该些电压与该些电流。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该晶圆之该些凸块与该些焊垫之电气接触,系利用该晶圆具有一方向性来对准。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该晶圆之该些凸块与该些焊垫之电气接触,更使用一治具包覆并固定两者。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该治具外部具有复数个外接线,用以将包覆该带状自动接合卷带之该些外接点连接出来。8.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该治具固定该些凸块与该些焊垫,并使两者接触,系使用一压力改变产生。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该压力改变系为抽真空方式。图式简单说明:第一图绘示圆形的晶圆中晶片、焊垫与进行封装图形;第二图绘示打线接合方式之图形;第三图绘示带状自动接合方式之图形;第四图绘示覆晶片方式之图形;第五图A-第五图G绘示凸块形成之程序图形;第六图绘示习知进行测试之IC结构图;第七图绘示在晶片上形成凸块之剖面图;第八图绘示具有复数个焊垫之带状自动接合卷带之剖面图;以及第九图绘示将焊垫与凸块对准、连接,并以治具固定后,由外接线输入电压、电流,以进行崩应测试。
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