| 主权项 |
1.一种半导体装置,具备:收容于其内部形成有记忆体元件之半导体晶片的装件;及贴附于前述装件表面之含有热中子吸收材的热中子吸收片者。2.如申请专利范围第1项的半导体装置,其中前述热中子吸收片为介由黏合剂贴附于前述装件表面,及前述黏合剂为含有前述热中子吸收材者。3.一种半导体装置,具备:收容于其内部形成有记忆体元件之半导体晶片的装件;及设在前述装件内部之含有热中子吸收材的热中子吸收层者。4.一种半导体装置,具备:于内部形成有记忆体元件的半导体晶片;及形成于前述半导体晶片上之具备含有热中子吸收材的热中子吸收部的线吸收层者。5.如申请专利范围第4项的半导体装置,其中前述线吸收层为形成于前述半导体晶片的上面及背面者。6.如申请专利范围第4项的半导体装置,其中前述线吸收层含有位置于前述半导体晶片侧之未含有前述热中子吸收材的第1线吸收部,及形成在该第1线吸收部上之含有前述热中子吸收材的第2线吸收部者。7.一种半导体装置,具备:收容于其内部形成有记忆体元件之半导体晶片的装件;及突出于前述装件上而含有热中子吸收材的热中子吸收部之散热部者。8.如申请专利范围第7项的半导体装置,其中前述散热部为介由黏合剂装设在前述装件的表面上;及前述热中子吸收部为由添加前述热中子吸收材于前述黏合剂形成者。9.如申请专利范围第7项的半导体装置,其中前述热中子吸收部包含形成前述散热部表面上的热中子吸收层者。10.如申请专利范围第7项的半导体装置,其中前述热中子吸收材为添加于前述散热部,前述热中子吸收部至少为由热器之一部分构成者。11.一种半导体装置,具备:收容于其内部形成有记忆体元件之半导体晶片的装件;及涂布于前述装件之表面上之含有热中子吸收材料的油脂者。12.一种半导体装置,具备:装载有于其内部形成有记忆体元件之半导体晶片的基板;收容前述基板的容器;以及贴附于前述容器的表面或前述基板之含有热中子吸收材的热中子吸收片者。13.如申请专利范围第1项的半导体装置,其中前述热中子吸收材为选用氮化硼,锂及镉中之至少1种的材质构成者。14.如申请专利范围第1项的半导体装置,其中于前述半导体装置的表面上以覆热中子吸收体的状态形成高速中子吸收体。图式简单说明:第一图表示本发明之实施形态1的半导体装置剖面图。第二图表示本发明之实施形态2的半导体装置剖面图。第三图表示本发明之实施形态3的半导体装置剖面图。第四图表示第三图之半导体装置的变形例之剖面图。第五图表示本发明之实施形态4的半导体装置剖面图。第六图表示本发明之实施形态5的半导体装置剖面图。第七图表示第六图之半导体装置的变形例之剖面图。第八图表示本发明之实施形态6的半导体装置剖面图。第九图表示本发明之实施形态7的半导体装置剖面图。第十图表示本发明之实施形态8的半导体装置剖面图。第十一图表示中子之反应的模式图。 |
