| 主权项 |
1.一种减低半导体气泡现象之方法,其步骤包括:(a)提供一第一型半导体基底,在该第一型半导体基底上形成一经定义图案之闸极;(b)于该闸极两侧形成一第二型淡掺杂源极/汲极区;(c)形成一介电层覆盖该第一型半导体基底及该闸极;(d)以乾式蚀刻法蚀刻该介电层至一既定厚度;(e)以湿式蚀刻法蚀刻该剩余之介电层以在该闸极侧边形成间隔物;以及(f)以上述间隔物为罩幕,植入第二型离子以形成一与上述第二型淡掺杂源极/汲极区构成一淡掺杂汲极结构之第二型浓掺杂源极/汲极区。2.如申请专利范围第1项所述减低半导体气泡现象之方法,其中该第一型半导体基底系一P型矽基底,该第二型淡掺杂源极/汲极区系一N型淡掺杂源极/汲极区,且该第二型浓掺杂源极/汲极区系一N型浓掺杂区。3.如申请专利范围第1项所述减低半导体气泡现象之方法,其中该第一型半导体基底系一N型矽基底,该第二型淡掺杂源极/汲极区系一P型淡掺杂源极/汲极区,且该第二型浓掺杂源极/汲极区系一P型浓掺杂区。4.如申请专利范围第3项所述减低半导体气泡现象之方法,其中该(b)步骤系以离子植入法将二氟化硼离子植入该半导体基底。5.如申请专利范围第4项所述减低半导体气泡现象之方法,其中该(f)步骤系以离子植入法将二氟化硼离子植入该半导体基底。6.如申请专利范围第5项所述减低半导体气泡现象之方法,其中该闸极系一矽化钨闸极。7.如申请专利范围第5项所述减低半导体气泡现象之方法,其中该闸极系一复晶矽闸极。8.如申请专利范围第7项所述减低半导体气泡现象之方法,其中该第一介电层系一二氧化矽层。9.如申请专利范围第8项所述减低半导体气泡现象之方法,其中该(d)步骤系以电浆蚀刻法蚀刻该介电层至一既定厚度。10.如申请专利范围第8项所述减低半导体气泡现象之方法,其中该(E)步骤系以氢氟酸为其蚀刻溶液,蚀刻该剩余之介电层以在该闸极侧边形成间隔物。11.一种减低气泡现象之方法,其步骤包括:提供一N型矽基底,在该N型半导体基底上形成一复晶矽闸极;于该复晶矽闸极两侧形成一P型淡掺杂源极/汲极区;形成一二氧化矽层覆盖该N型矽基底及该复晶矽闸极;以乾式蚀刻法蚀刻该二氧化矽层至一既定厚度;以湿式蚀刻法蚀刻该剩余之二氧化矽层以在该复晶矽闸极侧边形成一间隔物;以及以该间隔物为罩幕,植入二氟化硼离子于该N型矽基底,以形成一与上述P型淡掺杂源极/汲极区构成一淡掺杂汲极结构之P型浓掺杂源极/汲极区。图式简单说明:第一图A至第一图E是习知形成LDD结构之源极/汲极区的制造流程剖面图。第二图A至第二图B系习知半导体元件内气泡现象之俯视图。第三图A至第三图F是本发明减低气泡现象的方法之制造流程剖面图。 |
