| 主权项 |
1.一种可形成均匀蚀刻液膜之装置,配置于复数个滚轮片式滚轮上,该些滚轮片式滚轮位于同一平面而彼此平行并适于支撑一双面板,且该些滚轮片式滚轮下方放置有复数个第一蚀刻液喷嘴,其装置包括:复数个实心滚轮,位于该些滚轮片式滚轮上方的同一平面上而彼此平行,且每二相邻之该些实心滚轮间具有一间隔,该些间隔又区分为复数个第一间隔与复数个第二间隔,该些实心滚轮适于接触该双面板,使得该双面板上之一蚀刻液膜覆盖均匀;复数排第二蚀刻液喷嘴,配置于该些第一间隔的上方,且与该些实心滚轮之轴向平行;以及复数排喷气嘴,配置于该些第二间隔上方,且与该些实心滚轮之轴向平行。2.如申请专利范围第1项所述之可形成均匀蚀刻液膜之装置,其中该些第一间隔与该些第二间隔彼此依序交替排列。3.如申请专利范围第1项所述之可形成均匀蚀刻液膜之装置,其中每一排第二蚀刻液喷嘴均由复数个第二蚀刻液喷嘴所组成,该些第二蚀刻液喷嘴平行于该实心滚轮之轴向排列,且均以一角度朝向对应之该些第一间隔喷洒一蚀刻液,以分别形成平行于该实心滚轮之轴向之一蚀刻液导流。4.如申请专利范围第1项所述之可形成均匀蚀刻液膜之装置,其中每一排喷气嘴均由复数个喷气嘴所组成,该些喷气嘴平行于该实心滚轮之轴向排列,且均以一角度朝向对应之该些第二间隔射气体,以驱赶该双面板上之该蚀刻液。5.如申请专利范围第3项所述之可形成均匀蚀刻液膜之装置,其中该蚀刻液导流之方向包括由该第一间隔对应于该些实心滚轮轴向之一端,流向另一端。6.如申请专利范围第3项所述之可形成均匀蚀刻液膜之装置,其中该蚀刻液导流之方向包括由该第一间隔对应于该些实心滚轮轴向之中心流向两端。7.如申请专利范围第3项所述之可形成均匀蚀刻液膜之装置,其中每二相邻之该些第一间隔对应之该蚀刻液导流方向不同。8.如申请专利范围第1项所述之可形成均匀蚀刻液膜之装置,其中每一该些第一间隔仅配置该些排第二蚀刻液喷嘴之一。9.如申请专利范围第1项所述之可形成均匀蚀刻液膜之装置,其中每一该些第一间隔仅配置该些排第二蚀刻液喷嘴之二。10.一种蚀刻装置,应用于一双面板之蚀刻,包括:复数个滚轮片式滚轮,该些滚轮片式滚轮位于同一平面而彼此平行并适于支撑该双面板,且该些轮片式滚轮下方放置有复数个第一蚀刻液喷嘴;复数个实心滚轮,位于该些滚轮片式滚轮上方的同一平面上而彼此平行,且每二相邻之该些实心滚轮间具有一间隔,该些实心滚轮适于接触该双面板,使得该双面板上之一蚀刻液膜覆盖均匀;以及复数排第二蚀刻液喷嘴,配置于该些间隔的上方,且与该些实心滚轮之轴向平行。11.如申请专利范围第10项所述之蚀刻装置,其中该些间隔更包括配置有该些排第二蚀刻液喷嘴的复数个第一间隔,与配置有复数排喷气嘴之复数个第二间隔,其中该些喷气嘴配置于该些第二间隔上方,且与该些实心滚轮之轴向平行,其中该些第一间隔与该些第二间隔彼此依序交替排列。12.如申请专利范围第10项所述之蚀刻装置,其中每一排第二蚀刻液喷嘴均由复数个第二蚀刻液喷嘴所组成,该些第二蚀刻液喷嘴平行于该实心滚轮之轴向排列,且均以一角度朝向对应之该些间隔喷洒一蚀刻液,以分别形成平行于该实心滚轮之轴向之一蚀刻液导流。13.如申请专利范围第11项所述之蚀刻装置,其中每一排喷气嘴均由复数个喷气嘴所组成,该些喷气嘴平行于该实心滚轮之轴向排列,且均以一角度朝向对应之该些第二间隔射气体,以驱赶该双面板上之该蚀刻液。14.如申请专利范围第12项所述之蚀刻装置,其中该蚀刻液导流之方向包括由该间隔对应于该些实心滚轮轴向之一端,流向另一端。15.如申请专利范围第12项所述之蚀刻装置,其中该蚀刻液导流之方向包括由该间隔对应于该些实心滚轮轴向之中心流向两端。16.如申请专利范围第11项所述之蚀刻装置,其中每二相邻之该些第一间隔对应之该蚀刻液导流方向不同17.如申请专利范围第11项所述之蚀刻装置,其中每一该些第一间隔仅配置该些排第二蚀刻液喷嘴之一。18.如申请专利范围第11项所述之蚀刻装置,其中每一该些第一间隔仅配置该些排第二蚀刻液喷嘴之二。图式简单说明:第一图A系显示习知双层板之金属铜层于蚀刻制程以将金属铜层图案化为线路层时之上视透视简图;第一图B系为第一图A中,沿I-I线之剖面简图;第二图系显示第一图B中金属铜层102a经过蚀刻制程之后,金属铜层102a表面之等高线图;第三图系显示习知另一种双层板之金属铜层于蚀刻制程以将金属铜层图案化为线路层时之剖面简图;第四图A所示,为根据本发明一较佳实施例之双面板之导电层之蚀刻装置之上视图;以及第四图B系为第四图A中,沿II-II线之剖面简图;第五图为根据本发明较佳实施例之另一种双面板之导电层之蚀刻装置之剖面简图。 |
