| 主权项 |
1.一种蚀刻一基材的设备,其至少包含:a)一容器;b)一设置于该容器内之基材支撑器;c)一固定于该基材支撑器上之旋转作动件;及d)一流体输送组件,其被设置于该容器内用来输送一蚀刻剂至一设置于该基材支撑器上的基材的周边部分。2.如申请专利范围第1项所述之设备,其中该基材支撑器包含一真空夹盘。3.如申请专利范围第1项所述之设备,其中该流体输送组件包含一或多个喷嘴。4.如申请专利范围第1项所述之设备,其中该流体输送组件包含一或多个被垂直对齐的喷嘴组对。5.如申请专利范围第1项所述之设备,其中该流体输送组件被选择性地连接至一蚀刻剂源与一去离子水源。6.如申请专利范围第1项所述之设备,其中该流体输送组件包含一第一组喷嘴其可连接至一蚀刻剂源及一第二组喷嘴其可连接至一去离子水源。7.如申请专利范围第1项所述之设备,其更包含:e)一去离子水喷嘴,其被设置于该容器内用以将去离子水送至该基材的一中心部分。8.如申请专利范围第1项所述之设备,其更包含:e)一基材举升组件,其被设置于该容器内。9.如申请专利范围第8项所述之设备,其中该基材举升组件包含多个从一举升平台径向延伸的臂。10.如申请专利范围第8项所述之设备,其中该基材举升组件包含多个从一举升平台径向延伸的臂及多个被设置在该等臂的远端上的夹子。11.一种蚀刻一基材的方法,其至少包含:a)将置于一可转动的基材支撑器上的基材转动;及b)输送一蚀刻剂至该基材的一周边部分。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该基材是以约100rpm至1000rpm间的转速被旋转。13.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该蚀刻剂是被输送于一大致与该基材的周边部分成切线的方向上。14.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该蚀刻剂以是以一与该基材的一表面夹0度至45度角的入射角被输送。15.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该蚀刻剂是被送至该基材的前侧及后侧。16.如申请专利范围第11项所述之方法,其更包含:c)在蚀刻之后输送一冲洗剂至该基材。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其更包含:d)旋转乾燥该基材。18.如申请专利范围第11项所述之方法,其更包含:c)输送去离子水至该基材的一中心部分。图式简单说明:第一图为一具有接触销之简化的典型喷水电镀装置10的剖面图。第二图为一晶圆30的边缘的一剖面图,其显示该晶种层34的边缘32上之过量的沉积36。第三图为本发明之一边缘珠滴去除(EBR)模组的侧剖面图,其显示一被置于处理位置上的基材用以将该基材的边缘上之过量沉积去除。第四图为一EBR模组的上视图,其显示用来将边缘珠滴去除之喷嘴的一实施例。第五图为一喷最150的侧视图,其被设置成与一将被处理的晶圆122相关。第六图为一边缘珠滴去除/旋转-冲洗-乾燥(EBR/SRD)结合模组的剖面图,其显示在一被垂直地设置于流体入口之间之一处理位置上的基材。 |
