发明名称 改善掺氟矽玻璃制程之掺质浓度的稳定度之方法
摘要 本发明提供一种改善掺氟矽玻璃制程之掺质浓度的稳定度之方法,其包括:于进行掺氟矽玻璃制程前,于反应室壁形成保护膜/掺氟矽玻璃膜或者保护膜/掺氟矽玻璃膜/保护膜,可使晶片上所沈积之掺氟矽玻璃膜的浓度较容易控制。此外,于反应室壁形成保护膜/掺氟矽玻璃膜/保护膜,在进行掺氟矽玻璃制程时,还可以降低粒子掉落至晶片的可能,以降低粒子对晶片造成的污染或损伤。
申请公布号 TW455928 申请公布日期 2001.09.21
申请号 TW089122344 申请日期 2000.10.24
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 游明华;郑义荣;吴斯安;王英郎
分类号 H01L21/205 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人 洪澄文 台北巿信义路四段二七九号三楼
主权项 1.一种改善掺氟矽玻璃制程之掺质浓度的稳定度之方法,适用于进行掺氟矽玻璃制程之前,该方法包括:于该化学沈积反应室的反应室壁沈积一第一未掺杂矽玻璃膜;以及于该第一未掺杂矽玻璃膜上覆盖一掺氟矽玻璃膜。2.如申请专利范围第1项所述的方法,其中更包括于覆盖完该掺氟矽玻璃膜后,进行掺氟矽玻璃制程。3.如申请专利范围第1项所述的方法,其中更包括于该掺氟矽玻璃膜上覆盖一第二未掺杂矽玻璃膜。4.如申请专利范围第3项所述的方法,其中更包括于覆盖完该第二未掺杂矽玻璃膜后,进行掺氟矽玻璃制程。5.一种改善掺氟矽玻璃制程之掺质浓度的稳定度之方法,适用于一化学沈积反应室进行清洁后,该方法包括:于该化学沈积反应室的反应室壁沈积一第一保护膜;于该第一保护膜上覆盖一掺氟矽玻璃膜;以及进行一掺氟矽玻璃制程。6.如申请专利范围第5项所述的方法,其中该第一保护膜的材质包括氧化矽。7.如申请专利范围第5项所述的方法,其中于该掺氟矽玻璃膜形成后,进行该掺氟矽玻璃制程前,更包括:于该掺氟矽玻璃膜上覆盖一第二保护膜。8.如申请专利范围第7项所述的方法,其中该第一和第二保护膜的材质包括氧化矽。图式简单说明:第一图系绘示根据本发明一第一较佳实施例之一种可改善掺氟矽玻璃制程之掺质浓度的稳定度的化学沈积反应室之示意图。第二图系绘示根据本发明一第二较佳实施例之一种可改善掺氟矽玻璃制程之掺质浓度的稳定度的化学沈积反应室之示意图。
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