| 主权项 |
1.一种使半导体晶元适于使用液态导电材料的方法,该半导体晶元具有至少两由一绝缘层分隔的较上和较下金属层及在较下金属层周围的其他金属层,该半导体晶元在其之表面系凹设有数个焊垫形成区,每一焊垫形成区系由一底壁和周壁形成,以致于较下的金属层和其他的金属层系铺设于焊垫形成区的底壁上而较上的金属层系凸露于焊垫形成区的周壁上,在铺设于焊垫形成区之底壁上的金属层上系以铝为材料形成一焊垫,该方法包含如下之步骤:于该晶元的表面及焊垫形成区内布设绝缘材料;及将位于该焊垫形成区中央的绝缘材料移去,以致于余下的绝缘材料在该等金属层之间形成隔离层,俾可当液态导电材料灌注入该焊垫形成区时,在金属层之间不会出现短路现象。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,移去位于该焊垫形成区中央之绝缘材料的步骤系藉由一探针完成。3.一种使半导体晶元适于使用液态导电材料的方法,该半导体晶元具有至少两由一绝缘层分隔的较上和较下金属层及在较下金属层周围的其他金属层,该半导体晶元在其之表面系凹设有数个焊垫形成区,每一焊垫形成区系由一底壁和周壁形成,以致于较下的金属层和其他的金属层系铺设于焊垫形成区的底壁上而较上的金属层系凸露于焊垫形成区的周壁上,在铺设于焊垫形成区之底壁上的金属层上系以铝为材料形成一焊垫,该方法包含如下之步骤:提供一钢板,该钢板对应于该晶元之每一焊垫形成区形成有一绝缘体形成孔;于该钢板的各绝缘体形成孔内形成一绝缘体;及将该等绝缘体移印至晶元之对应的焊垫形成区,以致于该等绝缘体在该等金属层之间形成隔离层,俾可当液态导电材料灌注入该焊垫形成区时,在金属层之间不会出现短路现象。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中,将该等绝缘体移印至晶元之对应的焊垫形成区的步骤系藉由移印刷头完成。5.一种使半导体晶元适于使用液态导电材料的方法,该半导体晶元具有至少两由一绝缘层分隔的较上和较下金属层及在较下金属层周围的其他金属层,该半导体晶元在其之表面系凹设有数个焊垫形成区,每一焊垫形成区系由一底壁和周壁形成,以致于较下的金属层和其他的金属层系铺设于焊垫形成区的底壁上而较上的金属层系凸露于焊垫形成区的周壁上,在铺设于焊垫形成区之底壁上的金属层上系以铝为材料形成一焊垫,该方法包含如下之步骤:于晶元的表面和焊垫形成区布设有感光材料;将一遮罩置于该晶元之上,该遮罩系对应于晶元的焊垫形成区形成有数个贯孔,该遮罩的各个贯孔系对准对应之焊垫形成区的中央;及经由曝光过程,将位于焊垫形成区中央的感光材料移去,以致于余下的感光材料在该等金属层之间形成隔离层,俾可当液态导电材料灌注入该焊垫形成区时,在金属层之间不会出现短路现象。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中,该遮罩是为底片。7.一种适于使用液态导电材料的半导体晶元,该半导体晶元具有至少两由一绝缘层分隔的较上和较下金属层及在较下金属层周围的其他金属层,该半导体晶元在其之表面系凹设有数个焊垫形成区,每一焊垫形成区系由一底壁和周壁形成,以致于较下的金属层和其他的金属层系铺设于焊垫形成区的底壁上而较上的金属层系凸露于焊垫形成区的周壁上,在铺设于焊垫形成区之底壁上的金属层上系以铝为材料形成一焊垫,该晶元更包含:一绝缘材料,该绝缘材料系布设于该晶元之表面并且系沿着各焊垫形成区的周壁延伸至对应之焊垫形成区的底壁,以致于该等绝缘材料在该等金属层之间形成隔离层,俾可当液态导电材料灌注入该焊垫形成区时,在金属层之间不会出现短路现象。图式简单说明:第一图系描绘使用固态导电材料之习知半导体晶元之表面之一部份的顶视图;第二图是为沿着第一图之线II-II所作的示意剖视图;第三图系描绘使用液态导电材料之习知半导体晶元的示意剖视图;第四图至第六图系描绘本发明使半导体晶元适于使用液态导电材料之方法之第一较佳实施例的示意流程图;第七图至第十图系描绘本发明第二较佳实施例的示意流程图;及第十一图至第十三图系描绘本发明第三较佳实施例的示意流程图。 |
