| 主权项 |
1.一种罩幕式唯读记忆体的制造方法,包括:提供一基底;在该基底之预定处形成复数个浅沟渠氧化区;在该基底中形成平行之复数个位元线,其中部份该些位元线经过该些浅沟渠氧化区之侧边;以及在该基底上形成和该些位元线互相垂直且彼此平行之复数个字元线,其中部份该些字元线经过该些浅沟渠氧化区之上方。2.如申请专利范围第1项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中该些浅沟渠氧化区的制造方法包括:形成一垫氧化层于该基底上;形成一氮化矽层于该垫氧化层之上;依序图案化该氮化矽层和该垫氧化层;以该氮化矽层为罩幕,蚀刻该基底以形成复数个浅沟渠;沈积一氧化矽层于该些浅沟渠中以及该基底之上;以该氮化矽层为平坦化终点,用化学机械研磨法平坦化该氧化矽层;以及依序去除该氮化矽层和该垫氧化层,留下该基底中之复数个浅沟渠氧化区。3.如申请专利范围第1项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中该些位元线的形成方法包括植入离子于该基底中。4.如申请专利范围第1项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中该些字元线的形成方法包括:进行一热氧化步骤,在该基底之表面形成一闸氧化层;以化学气相沈积法沈积—多晶矽层于该闸氧化层之上;以及进行一微影蚀刻步骤,定义出该些字元线。5.一种罩幕式唯读记忆体的制造方法,包括:提供一基底;形成复数个主动区于该基底上,每一该些主动区分别具有一通道区以及位于该通道区两侧之二源极/汲极区;形成复数个浅沟渠氧化区于该基底中之部份该些通道区内;形成复数个源极/汲极于该些源极/汲极区中;以及形成复数个闸极于该些通道区之上。6.如申请专利范围第5项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中该些浅沟渠氧化区的制造方法包括:形成一垫氧化层于该基底上;形成一氮化矽层于该垫氧化层之上;依序图案化该氮化矽层和该垫氧化层;以该氮化矽层为罩幕,蚀刻该基底以形成复数个浅沟渠;沈积一氧化矽层于该些浅沟渠中以及该基底之上;以该氮化矽层为平坦化终点,用化学机械研磨法平坦化该氧化矽层;以及依序去除该氮化矽层和该垫氧化层,留下该基底中之复数个浅沟渠氧化区。7.如申请专利范围第5项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中该些位元线的形成方法包括植入离子于该基底中。8.如申请专利范围第5项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中该些字元线的形成方法包括:进行一热氧化步骤,在该基底之表面形成一闸氧化层;以化学气相沈积法沈积一多晶矽层于该闸氧化层之上;以及进行一微影蚀刻步骤,定义出该些字元线。图式简单说明:第一图A—第一图F是依照本发明较佳实施例的一种罩幕式唯读记忆体的制造流程剖面图。 |
