发明名称 模组式光电连接器
摘要 为能解决光电连接器之制造成本问题,可将一光电耦合积体电路晶片(4)直接安装(12)于连接器之一封装(l)中。此封装有一内部屏蔽金属化处理及金属化部分(ll)利用微连接技术而连接至积体电路之垫(10)。积体电路于其亦连接(13)至此积体电路之垫(14)之表面上,其具有雷射二极体(8)。此等雷射二极体彼此成间隔展开,其相间隔之距离对应于一标准化之光连接器(16)中光纤终端(17,20)间之距离(21)。连接器元件之数目得以减少,但同时其效率就电消耗及信号传输品质而言亦得以改善。
申请公布号 TW455722 申请公布日期 2001.09.21
申请号 TW089104262 申请日期 2000.03.09
申请人 法拉摩通连接器国际公司 发明人 柏纳德 罗勃;艾尔 摩斯塔菲 辛汀;柏纳德 布利斯
分类号 G02B6/42 主分类号 G02B6/42
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种光电连接器,包括一封装(1),一光埠(2),一电埠(3),一光电电路以其置于此封装内及连接至此二埠,其特征为光电电路包括一棵控制元件(5-7)及放射检测量(8)积体电路晶片,制备有金属化连接件(11)之封装的内墙(29),此积体电路之垫(10)直接连接(12)至金属化连接件,雷射二极体(8)转移至积体电路上,此连接器构成一基本单位链路。2.根据申请专利范围第1项之连接器,其特征为雷射二极体(8)系转移(45)至积体电路上,此等二极体之间隔(50)等于光埠中光纤终端间之间隔(21)。3.根据申请专利范围第1或2项之连接器,其特征为封装为MID(复制连接装置)型式之封装,连同有沉积于此封装之一空腔中之连接金属化部分,此连接器之电埠之接触件屏蔽系由此等金属化部分中之一部份形成。4.根据申请专利范围第3项之连接器,其特征为MID型式封装之金属化部分系将金属涂加二遍而成。5.根据申请专利范围第1或2项之连接器,其特征为封装系使用BGA(球栅阵列)型式连接,线焊接或各向异性薄膜技术而连接至积体电路。6.根据申请专利范围第1或2项之连接器,其特征为封装之屏蔽为MID型式。7.根据申请专利范围第1或2项之连接器,其特征为积体电路之垫(10)系直接连接(12)至金属化连接部分。8.根据申请专利范围第1或2项之连接器,其特征为雷射二极体为Vcsel(垂直空腔固体放射雷射)二极体,实施之较佳者为GaAs型式。9.根据申请专利范围第1或2项之连接器,其特征为光埠包括一倾斜之镜(19),实施之较佳者为倾斜45。10.根据申请专利范围第1或2项之连接器,其特征为光埠包括一组件(18)用以将光纤终端定位,此组件邻接(23)积体电路之一斜面(24)。11.根据申请专利范围第1或2项之连接器,其特征为光埠包括使用二光通道之有限接达及电埠包括供电信号使用之接触件及供一接地信号使用之接触件。12.根据申请专利范围第1或2项之连接器,其特征为封装为一模组及包括可叠置于另一封装上之装置(27,28)。13.根据申请专利范围第1或2项之连接器,其特征为雷射二极体之垫系藉连接线而直接连接至积体电路之垫上。14.根据申请专利范围第1或2项之连接器,其特征为光电电路包括有装置以其将光埠处可获得之信号变换为电埠处可获得之信号及/或反之亦然。图式简单说明:第一图为根据本发明之光电连接器;第二图a及第二图b显示根据本发明一光电连接器模组之相互垂直之二图(一顶示图及一正视图);第三图为一透视图,显示本发明之连接器之封装及电埠之具体例;第四图显示可用于本发明之连接器之积体电路之具体实例。
地址 法国