| 主权项 |
1.一种快闪记忆体中浮置闸极的制作方法,至少包括:提供一基底,该基底上具有一主动区域与一隔离区域:形成一穿隧氧化层、一多晶矽层及一氮化矽层于该基底上;定义一开口位置,并将该开口位置上之该氮化矽层移除,并将将暴露之该多晶矽层氧化,以形成一浮置闸氧化层:于该基底上形成一缓冲层;于该缓冲层之侧壁形成一第一间隙壁,并将未受该第一间隙壁之该缓冲层移除;将该主动区域上方以外之该第一间隙壁、该缓冲层与该氮化矽层移除;形成一第二间隙壁于该第一间隙壁、该缓冲层与该氮化矽层之侧壁;将未受该第二间隙壁覆盖之该浮置闸极氧化层移除;将该第二间隙壁与该缓冲层移除;以及将未受该浮置闸极氧化层覆盖之该多晶矽层移除,以形成一浮置闸极。2.如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体中浮置闸极的制作方法,其中该缓冲层的材质包括多晶矽。3.如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体中浮置闸极的制作方法,其中该缓冲层的材质包括氮化矽。4.如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体中浮置闸极的制作方法,其中该第一间隙壁之材质包括氮化矽。5.如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体中浮置闸极的制作方法,其中该第二间隙壁之材质包括氮化矽。6.如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体中浮置闸极的制作方法,其中该缓冲层之厚度低于3000。7.如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体中浮置闸极的制作方法,其中该第一间隙壁之厚度低于3000。8.一种快闪记忆体中浮置闸极的制作方法,至少包括:提供一基底;形成一穿隧氧化层、一多晶矽层及一氧化矽层于该基底上;定义一浮置闸极之位置;将该浮置闸极位置上之该氮化矽层移除至暴露出该多晶矽层,并将暴露之该多晶矽层氧化,以形成一浮置闸极氧化层;于该基底上形成一缓冲层;于该缓冲层之侧壁形成一第一间隙壁,并将未受该第一间隙壁之该缓冲层移除;将该基底上之主动区域上方以外之该第一间隙壁、该缓冲层与该氮化矽层移除;形成一第二间隙壁于该第一间隙壁、该缓冲层与该氮化矽层之侧壁,以定义出该浮置闸极所涵盖之范围;将未受该第二间隙壁覆盖之该浮置闸极氧化层移除;以及将该第二间隙壁、该缓冲层移除与未受该浮置闸极氧化层覆盖之该多晶矽层移除,以形成一浮置闸极。9.如申请专利范围第8项所述之快闪记忆体中浮置闸极的制作方法,其中该缓冲层的材质包括多晶矽。10.如申请专利范围第8项所述之快闪记忆体中浮置闸极的制作方法,其中该缓冲层的材质包括氮化矽。11.如申请专利范围第8项所述之快闪记忆体中浮置闸极的制作方法,其中该第一间隙壁之材质包括氮化矽。12.如申请专利范围第8项所述之快闪记忆体中浮置闸极的制作方法,其中该第二间隙壁之材质包括氮化矽。13.如申请专利范围第8项所述之快闪记忆体中浮置闸极的制作方法,其中该缓冲层之厚度低于3000。14.如申请专利范围第8项所述之快闪记忆体中浮置闸极的制作方法,其中该第一间隙壁之厚度低于3000。图式简单说明:第一图至第七图绘示为习知快闪记忆体中浮置闸极之制作流程图。第八图至第十四图绘示依照本发明快闪记忆体中浮置闸极之一较佳实施例的制作流程图。 |
