发明名称 光学性资讯记录媒体及光记录方法
摘要 本发明揭示一种,在基板上至少有相变化型记录层,使结晶部为未记录,抹除状态,非晶质部为记录状态.藉最短标记录长度0.5μm以下之多数记录标记长度记录资讯之光学性资讯记录用媒体,其抹除系藉由,从非晶质部或溶融部与周边结晶部之境界起之结晶成长,而实质进行之再结晶化所达成为其特征之光学性资讯记录用媒体,及适合此之光记录方法。本发明之媒体具有,能以高速度盖写(overwrite),标记边缘之颤动很小,能够达成高密度之标记长度调变记录,形成之标记之长时间稳定性良好之特征。
申请公布号 TW455867 申请公布日期 2001.09.21
申请号 TW088115520 申请日期 1999.09.08
申请人 三菱化学股份有限公司 发明人 水野裕宣;大野孝志;堀江通和
分类号 G11B7/24 主分类号 G11B7/24
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种光学性资讯记录用媒体,系在基板上至少有相变化型记录层,以该记录层之结晶部为未记录,抹除状态,非晶质部为记录状态,藉最短标记(mark)长度0.5m以下之多数记录标记长度记录资讯之光学性资讯记录用媒体,其特征在于,其抹除系藉由,从非晶质部或溶融部,与周边结晶部之境界起之结晶生长,实质上进行之再结晶化为之。2.如申请专利范围第1项所述之光学性资讯记录用媒体,上述相变化型记录层系由,以Ge,Sb,Te为主要成分之薄膜所构成。3.如申请专利范围第1项所述之光学性资讯记录用媒体,上述相变化型记录层系由,以My(SbxTe1-x)1-y(0.6≦x≦0.9.0<y≦0.2.M系Ga,Zn,Ge,Sn,In,Si,Cu,Au,Ag,Al,Pd,Pt,Pb,Cr,Co,O,S,Se,Ta,Nb,V中之至少一种)合金为主要成分之薄膜所构成。4.一种光学性资讯记录用媒体,系在基板上具有以Ge,Sb,Te为主要成分之薄膜所构成之相变化型记录层,该记录层之结晶层为未记录,抹除状态,非晶质部为记录状态,而藉最短标记长度0.5m以下之多数记录标记长度记录资讯之光学性资讯记录用媒体,其特征在于,以一定线速度,连续照射足以使记录层溶融之记录功率Pw之记录光线,该媒体将大致上被结晶化,以一定线速度,照射足以使记录层溶融之记录光线后截断,该媒体则形成非晶质标记。5.一种光学性资讯记录用媒体,系申请专利范围第1-4项中任一项所述之光学性记录用媒体,若藉最短标记长度0.5m以下之多数标记长度记录信号时,以记录后所再生之信号之调变度为M0,记录后,以80℃80%RH之条件下经过1000小时后再生之信号之调变度为M1时,M1/M0≧0.96.一种光学性资讯记录用媒体,系申请专利范围第1-4项中任一项所述之光学性资讯记录用媒体,若假设以最短标记长度0.4m之多数标记长度,记录EFM plus调变方式之随机信号时,记录后再生之信号之调变度为M0,记录后,以80℃80%RH之条件下经过1000小时后再生之信号之调变度为M1时,M1/M0≧0.97.一种光学性资讯记录用媒体,系在基板上,从记录再生光之射入方向依序配设第1保护层,相变化型记录层,第2保护层,反射层,所构成,该记录层之结晶部为未记录,抹除状态,非晶质部为记录状态,藉最短标记长度0.5m以下之多数记录标记之长度记录资讯之光学性资讯记录用媒体,其特征在于,相变化型记录层系由,膜厚度在25nm以上25nm以下,具有GeSbTe三元状态图中,由连结(Sb0.7Te0.3)与Ge之直线A,连结(Ge0.03Sb0.68Te0.29)与(Sb0.95Ge0.05)之直线B,连结(Sb0.9Ge0.1)与(Te0.9Ge0.1)之直线C,及连结(Sb0.8Te0.2)与Ge之直线D,之四根直线所围之领域(但不含境界线)之组成之GeSbTe合金为其主要成分之薄膜所构成,第2保护层之膜厚度在5nm以上30nm以下。8.如申请专利范围第7项所述之光学性资讯记录用媒体,记录层系由,具有GeSbTe三元状态图中,由连结(Sb0.7Te0.3)与Ge之直线A,连结(Ge0.03Sb0.68Te0.29)与(Sb0.9Ge0.1)之直线B,连结(Sb0.9Ge0.1)与(Te0.9Ge0.1)之直线C,及连结(Sb0.8Te0.2)与Ge之直线D,之四根直线所围之领域(惟不含境界线上)之组成之GeSbTe合金为其主要成分之薄膜所构成。9.如申请专利范围第7项所述之光学性资讯记录用媒体,记录层系由,以Gex(SbyTe1-y)1-x合金为主要成分之薄膜(0.04≦x<0.10,0.72≦y<0.8)所构成。10.如申请专利范围第7项所述之光学性资讯记录用媒体,记录层系由,以Gex(SbyTe1-y)1-x合金为主成分之薄膜(0.045≦x<0.075,0.74≦y<0.8)所构成。11.如申请专利范围第7项-第10项中任一项所述之光学性资讯记录用媒体,上述记录层进一步含有由O,N,及S中选择之至少一项元素,此等元素之含量为0.1原子%以上5原子%以下。12.如申请专利范围第7项-第10项中任一项所述之光学性资讯记录用媒体,上述记录层进一步含有由V,Nb,Ta,Cr,Co,Pt及Zr所选择之至少一项元素,此等元素之总含量在8原子%以下,且此等元素与Ge之总含量在15原子%以下。13.如申请专利范围第7项-第10项中任一项所述之光学性资讯记录用媒体,上述记录层进一步含有由Al,In及Ge中选择之至少一项元素,此等元素之总含量在8原子%以下,且此等元素与Ge之总含量在15原子%以下。14.如申请专利范围第7项-第10项中任一项所述之光学性资讯记录用媒体,记录层之膜厚度在10nm以上20nm以下。15.如申请专利范围第7项-第10项中任一项所述之光学性资讯记录用媒体,第2记录层之膜厚度在10nm以上20nm以下。16.如申请专利范围第7项-第10项中任一项所述之光学性资讯记录用媒体,系通过基板射入记录再生光,藉以记录或再生资讯用之媒体,第1保护层之膜厚度在50nm以上。17.如申请专利范围第7项-第10项中任一项所述之光学性资讯记录用媒体,其反射层之膜厚度在40nm以上300nm以下,体积电阻率在20nm以上150nm以下。18.如申请专利范围第17项所述之光学性资讯记录用媒体,其反射层之膜厚度在150nm以上300nm以下,由至少含有Ta,Ti,Co,Cr,Si,Sc,Hf,Pd,Pt,Mg,Zr,Mo或Mn中之至少一种元素0.2原子%以上2原子%以下之Al合金所构成。19.如申请专利范围第17项所述之光学性资讯记录用媒体,其反射层之膜厚度在40nm以上,150nm以下,由含有Ti,V,Ta,Nb,W,Co,Cr,Si,Ge,Sn,Sc,Hf,Pd,Rh,Au,Pt,Mg,Zr,Mo及Mn中至少一种元素0.2原子%以上5原子%以下之Ag合金所构成。20.如申请专利范围第7项-第10项中任一项所述之光学性资讯记录用媒体,其反射层系由多数金属膜构成之多层反射层,该多层反射层整体之膜厚度之50%以上之体积电阻率为20nm以上/150nm以下。21.如申请专利范围第17项所述之光学性资讯记录用媒体,在第2保护层与反射层之间,设有膜厚度5nm以上100nm以下之界面层。22.如申请专利范围第17项所述之光学性资讯记录用媒体,在第2保护层与反射层之间,设有膜厚度1nm以上100nm以下之界面层,该界面层系由含有Ta,Ti,Co,Cr,Si,Sc,Hf,Pd,Pt,Mg,Zr,Mo及Mn中之至少一种元素0.2原子%以上2原子%以下之Al合金所构成,该反射层系由含有Ti,V,Ta,Nb,W,Co,Cr,Si,Ge,Sn,Sc,Hf,Pd,Rh,Au,Pt,Mg,Zr,Mo及Mn中至少一种元素0.2原子%以上5原子%以下之Ag合金或Ag所构成。23.如申请专利范围第22项所述之光学性资讯记录用媒体,在上述界面层与反射层之间,存在有上述Al合金及/或Ag合金之氧化物构成之层,该氧化物层之厚度在1nm以上10nm以下。24.如申请专利范围第7项-第10项中任一项所述之光学性资讯记录用媒体,记录资讯之轨道之间距为0.8m以下。25.如申请专利范围第24项所述之光学性资讯记录用媒体,系仅以沟内当作轨道来记录资讯之媒体,在基板上有间距0.8m以下之沟,再生光波长为,在该波长时之基板之折射率为n时,沟深度在/(20-n)-/(10n)之范围内。26.如申请专利范围第25项所述之光学性资讯记录用媒体,系令波长630-670nm之光线,通过开口数NA为0.6-0.65之物镜,经由基板会聚在记录层,以进行资料之记录再生用之媒体,上述沟之沟间距为0.6-0.8m,沟深度为25-40nm,沟宽度为0.25-0.5m,且,该沟有资料之基准时脉周期T之30-40倍之周期之蛇行,该蛇行之波幅(peak-to-peak値)为40-80nm。27.如申请专利范围第24项所述之光学性资讯记录用媒体,系以沟内与沟间之双方当作轨道以记录资讯之媒体,在基板上有沟,以再生光波长为,在该波长时之基板之折射率为n时,沟深度为/(7n)-/(5n)或/(3.5n)-/(2.5n),沟宽度Gw与沟间宽度LW均为0.2m以上0.4m以下,且,GW/LW比在0.8以上1.2以下。28.一种光学性资讯记录用媒体,系申请专利范围第1,4,7项中任一项所述之光学性资讯记录用媒体,在记录标记间照射可使非晶质结晶化之抹除功率Pe之记录光线一个记录标记之时间长度为nT时(T系基准时脉周期,n系2以上之整数),将记录标记之时间长度nT,依1T,1T,1T.2T,2T,………,iT,iT,………,mT,mT,2T(其中,m系脉冲分割数,m=n-k,k系0≦k≦2之整数,而i(i+i)+1+2=n,1为1≧0之实数,2为2≧0之实数,0≦1+2≦2.0。i(1≦i≦m)为i>0之实数,i(1≦i≦m)为i>0之实数,i<0.5n,1=0.1-1.5,1=0.3-1.0,m=0-1.5,i=0.1-0.8(2≦i≦m)。再者,3≦i≦m之i时,i+i-1=0.5-1.5之范围内,且不依i之大小,均为一定値。)之顺序加以分割,在iT(1≦i≦m)之时间内,照射足以溶融记录层溶融之Pw≧Pe之记录用功率Pw之记录光线,而在iT(1≦i≦m)之时间内,照射0<Pb≦0.2 Pe(但在mT,可能成为0<Pb≦Pe)之偏压功率Pb之记录光线,藉此进行记录。29.一种光学性资讯记录用媒体,系申请专利范围第28项所述之光学性资讯记录用媒体,令波长350-680nm之光线,通过开口数NA为0.55-0.9之物镜,会聚在记录层,进行资料之记录再生时,以m=n-1或m=n-2,1=0.3-1.51≧i=0.2-0.8(2≦i≦m),i+i-1=1.0(3≦i≦m),0≦Pb≦1.5(mW),0.3≦Pe/Pw≦0.6进行记录。30.一种光学性资讯记录用媒体,系申请专利范围第28项所述之光学性资讯记录用媒体,令波长600-680nm之光线,通过开口数NA为0.55-0.65之物镜,经由基板会聚在记录层,以最短标记长度为0.35-0.45m之范围,进行资料之再生记录时,以n为1-14之整数,m=n-1Pb则不论线速多少均保持一定,Pe/Pw在0.4-0.6之范围内可依线速度而变化,(i)在记录线速度3-4m/s之范围内,基准时脉周期T为T0,1=0.3-0.81≧i=0.2-0.4,不论i之大小保持一定値(2≦i≦m),2+1≧1.0,i+i-1=1.0(3≦i≦m),m=0.3-1.5,在iT(1≦I≦m)之时间内,照射记录功率Pwi之记录光线,(ii)在记录线速度6-8m/s之范围内,以基准时脉周期T为T0/2,'1=0.3-0.8,'1≧'i=0.3-0.5,不依i,保持一定値(2≦i≦m),'i+'i-1=1.0(3≦i≦m),'m=0-1.0,在iT(1≦i≦m)之时间内,照射记录功率Pw2之记录光时,以'i>i (2≦i≦m),且0.8≦Pw1/Pw2≦1.2,进行记录。31.一种光学性资讯记录用媒体,系申请专利范围第28项所述之光学性资讯记录用媒体,具有一定之记录领域,令该媒体以一定角速度转动,使其记录领域最内周之线速度为2-4m/s,记录领域最外周之线速度为6-10m/s,该记录领域由藉半径区划成多数区域构成,而在改变基准时脉周期T,使其依各区内之平均线速度,记录密度维持大致一定之状态下进行记录时,不依区域使m为一定,从外周区域向内周区域,单一减少Pb/Pe及/或i(i系1≦i≦m之至少1项),藉以进行记录。32.一种光学性资讯记录用媒体,系申请专利范围第31项所述之光学性资讯记录用媒体,上述记录领域由半径分割成p个区域,若以最内周侧为第1区,最外周侧为第p区,第q区(q系1≦q≦p之整数)之角速度为q,平均线速度为<Vq>ave,最大线速度为<Vq>max,最小线速度为<Vq>min,基准时脉周期为Tq,最短标记之时间长度为nminTq时,<Vq>avc/<Vi>ave在1.2-3之范围,<Vq>max/<Vq>min在1.5以下(i)在同一区内,q,Tq,i,i,Pe,Pb及Pw为一定,最短标记之物理长度nminTq<Vq>ave为0.5m以下,Tq<Vq>ave对1≦q≦p之所有之q为大致一定,且,m=n-1或m=n-2,1=0.3-1.51≧i=0.2-0.8(2≦i≦m),i+i-1=1.0(3≦i≦m),0≦Pb≦1.5(mW),0.4≦Pe/Pw≦0.6,(ii)各区之Pb,Pw,Pe/Pw,i(1≦i≦m),1,m为可变,而从外周区向内周区,至少单一减少i(i系2≦i≦m之至少一项),藉以进行记录。33.如申请专利范围第32项所述之光学性资讯记录用媒体,若该记录领域之Pw之最大値为Pwmax,最少値为Pwmin时,Pwmax/Pwmin≦1.2。34.一种光学性资讯记录用媒体,系申请专利范围第31项所述之光学性资讯记录用媒体,在令波长600-680nm之光线,通过开口数NA为0.55-0.65之物镜,经由基板在记录层会聚,以进行记录时,上述记录领域之最内周在半径20-25mm之范围内,最外周在半径55-60mm之范围内,最内周侧区域之平均线速度为3-4m/s,第q区(q系1≦q≦p之整数)之角速度为q,平均线速度<Vq>ave,最大线速度为<Vq>max,最小线速度为<Vq>min,基准时脉周期为Tq,最短标记之时间长度为nminTq时,n为1-14之整数,m=n-1,q,Pb及Pe/Pw不依区域,均为一定値,Tq<Vq>ave对1≦q≦p之所有q均大致一定,,且可满足(<Vq>max-<Vq>min)/(<Vq>max+<Vq>min)<10%(i)在第1区11=0.3-0.8,11≧11=0.2-0.4,不依i,为一定値(2≦i≦m),12+11≧1.0,1i+1i=1.0(3≧i≧m),(ii)在第2区p1=0.3-0.8,p1≧p1=0.3-0.5,不依i,为一定値(2≦i≦m),p1+pi-1=1.0(2≦i≦m)时,(iii)使其他各区,1i≦qi≦pi(2≦i≦m),qi取1i与pi中间之値,以进行记录。35.如申请专利范围第34项所述之光学性资讯记录用媒体,使1i≦qi≦pi(但11>p1),以进行记录。36.如申请专利范围第34项所述之光学性资讯记录用媒体,其中Pb,Pe/Pw,1,m不依区域改变,均为一定値,而令1及i(2≦i≦m)依区域而改变,以进行记录。37.如申请专利范围第34项所述之光学性资讯记录用媒体,预先在基板上,藉预设坑洞列或沟变形,至少记载有Pe/Pw,Pb,Pw,m,(11,p1),(1c,pc)之数値。38.如申请专利范围第34项所述之光学性资讯记录用媒体,系藉预设坑洞列或沟变形,将位址资讯预先记录在基板上之光学性资讯记录用媒体,连同该位址资讯,也含有关于在该位址很适当之1及i(2≦i≦m)之资讯。39.一种光学性资讯记录用媒体,系申请专利范围第1,4,7项中任一项所述之光学性资讯记录用媒体。在记录间照射可使非晶质结晶化之抹除功率Pe之记录光线,一个记录标记之时间长度为nT时(T系基准时脉周期,n系2以上之整数),将记录标记之时间长度nT,依1T,1T,1T.2T,2T,………,iT,iT,………,mT,mT,2T(其中,m系脉冲分割数,m=n-k,k系0≦k≦2之整数,并使i(i+i)+1+2=n,1为1≧0之实数,2为2≧0之实数,0≦1+2≦2.0,i(1≦i≦m)为i>0之实数,i(1≦i≦m)为i>0之实数,1=0.1-1.5,1=0.3-1.0,m=0-1.5,在2≦i≦m之i,i在0.1-0.8之范围,且不依i,恒为一定値,再者,3≦i≦m之i,i+i-1在0.5-1.5之范围内,且不依i,恒为一定値)之顺序加以分割,在iT(1≦i≦m)之时间内,照射足以溶融记录层之Pw≧Pe之记录功率Pw之记录光线,在iT(1≦i≦m)之时间内,照射0<Pb≦0.2Pe(但在mT,有可能为0<Pb≦Pe)之偏压功率Pb之记录光线,不依线速度,使m,i+i-1(3≦i≦m),1T,及iT(2≦i≦m)恒为一定値,线速度愈小,愈使m单一,增加之方式改变,以进行记录。40.如申请专利范围第39项所述之光学性资讯记录用媒体,各记录线速度下之最大记录功率为Pwmax,最小记录功率为Pwmin时,使Pwmax/Pwmin≦1.2,Pe/Pw=0.4-0.6,0≦Pb≦1.5(mW)而进行记录。41.如申请专利范围第40项所述之光学性资讯记录用媒体,在记录线速度为5m/s以下之情况下,使i<0.5n,以进行记录。42.如申请专利范围第40项所述之光学性资讯记录用媒体,最大记录线速度时之m为Hm,最小记录线速度时之m为Lm时,其他之记录线速度时之m取Hm与Hm间之値,而不依记录线速度,使Pb,Pe/Pw为一定,以进行记录。43.如申请专利范围第39项所述之光学性资讯记录用媒体,不依记录线速度,使m为一定,以进行记录。44.如申请专利范围第42项所述之光学性资讯记录用媒体,至少将Pe/Pw比,Pb,Pw,1T,iT(2≦i≦m),(Lm,Hm)之数値,藉预设坑洞列或沟变形,预先记录在基板上。45.一种光学性资讯记录用媒体,系申请专利范围第1,4,7项中任一项所述之光学性资讯记录用媒体,具有一定之记录领域,该记录领域分割成在半径方向有相同宽度之P个区域,不依半径位置,以一定之角速度转动,而藉多数标记长度记录资讯之光学性资讯记录用媒体,在基板上形成具有一定之沟蛇行信号之沟,该沟蛇行信号之基准周期按各区域而变化,若第q区(其中,q系1≦q≦p之整数)之平均线速度为<Vq>ave,最大线速度为<Vq>max,最小线速度为<Vq>min,沟蛇行信号之基准周期为Twq时,<Vq>aveTwq为一定,并可满足,(<Vq>max-<Vq>min)/(<Vq>max+<Vq>min)<146.如申请专利范围第45项所述之光学性资讯记录用媒体,以上述沟之一个作为1个区域,该沟不依区域具有周期一定之蛇行,沟间距为TP,蛇行周期为Tw0时,使其近似方式满足,2TP=aTw0V0之关系。(其中,a系自然数)。47.一种光学性资讯记录用媒体,依申请专利范围第1,4,7项中任一项所述之光学性资讯记录用媒体,具有一定之记录领域,该记录领域分割成在半径方向有相同宽度之P个区域(P系200以上之整数),不依半径位置,以一定之角速度转动,而藉多数之标记长度记录资讯之光学性资讯记录用媒体,在基板上形成具有一定之沟蛇行信号之沟,该沟蛇行信号之基准周期按各区域而变化,若第q区(其中,q系1≦q≦p之整数)之平均路速度为<Vq>ave,沟蛇行信号之基准周期Twq时,<Vq>aveTwq为一定値。48.如申请专利范围第47项所述之光学性资讯记录用媒体,上述记录领域之最内周在半径20-25mm之范围内,最外周在半径55-60mm之范围内。49.一种光学性资讯记录用媒体之光记录方法,系在将资讯记录于申请专利范围第1,4,7项中任一项所述之光学性资讯记录用媒体时,在记录标记间照射可使非晶质结晶化之抹除功率Pe之记录光线,一个记录标记之时间长度为nT时(T系基准时脉周期,n系2以上之整数),将记录标记之时间长度nT,依1T,1T,1T.2T,2T,………,iT,iT,………,mT,mT,2T(其中,m系脉冲分割数,m=n-k,k系0≦k≦2之整数,同时,使i(i+i)+1+2=n,1系1≧0之实数,2为2≧0之实数,0≦1+2≦2.0,i(1≦i≦m)系i>0之实数,i(1≦i≦m)系i>0之实数,而i<0.5n,1=0.1-1.5,1=0.3-1.0,m=0-1.5,i=0.1-0.8(2≦i≦m)。再者,在3≦i≦m之i时,i+i-1在0.5-1.5之范围内,且不依i,恒为一定値。)之顺序加以分割,在iT(1≦i≦m)之时间内,照射足以溶融记录层之Pw≧Pe之记录功率Pw之记录光线,在iT(1≦i≦m)之时间内,照射0<Pb≦0.2Pe(但在mT,有可能为0<Pb≦Pe)之偏压功率Pb之记录光线。50.如申请专利范围第49项所述之光记录方法,系令波长350-680nm之光线,通过开口数NA为0.55-0.9之物镜,会聚在记录层,以进行资料之记录再生之光记录方法,系m=n-1或m=n-2,1=0.3-1.51≧i=0.2-0.8(2≦i≦m),i+i-1=1.0(3≦i≦m),0≦Pb≦1.5(mW),0.3≦Pe/Pw≦0.6。51.如申请专利范围第49项所述之光记录方法,系令波长600-680nm之光线,通过开口数NA为0.55-0.65之物镜,经由基板会聚在记录层,以最短标记长度为0.35-0.45m之范围,进行资料之记录再生之光记录方法,其n为1-14之整数,m=n-1Pb则不依线速,恒为一定値,Pe/Pw在0.4-0.6之范围内,可依线速产生变化,(i)在记录线速度3-4m/s之范围内,基准时脉周期T为T0,1=0.3-0.81≧i=0.2-0.8,不依i,恒为一定値(2≦i≦m),2+1≧1.0,i+i-1=1.0(3≦i≦m),m=0.3-1.5,在iT(1≦I≦m)之时间内,照射记录功率Pwi之记录光线,(ii)在记录线速度6-8m/s之范围内,基准时脉周期T为T0/2,1'=0.3-0.8,'1≧'i=0.3-0.5,不依i,恒为一定値(2≦i≦m),'i+'i-1=1.0(3≦i≦m),'m=0-1.0,在iT(1≦i≦m)之时间内,照射记录功率Pw2之记录光线时,'i>i (2≦i≦m),且0.8≦Pw1/Pw2≦1.2。52.如申请专利范围第49项所述之光记录方法,系以一定之角速度,使具有一定之记录领域之光学性资讯记录用媒体转动,藉多数标记长度记录资讯之方法,令该媒体转动,使记录领域最内周之线速度为2-4m/s,记录领域最外周之线速度为6-10m/s,该记录领域系由半径所区隔之多数区域构成,而改变基准时脉周期T,使记录密度依各区内之平均线速度保持大致一定値进行记录时,其M不依依区域,恒为一定値,从外周区域至内周区域,单一减少Pb/Pe及/或i(i系1≦i≦m之至少1项),以进行记录。53.如申请专利范围第52项所述之光记录方法,上述记录领域由半径分割成p个区域,以最内周侧为第1区,最外周侧为第p区,若第q区(其中,q系1≦q≦p之整数)之角速度为q,平均线速度为<Vq>ave,最大线速度为<Vq>max,最小线速度为<Vq>min,基准时脉周期为Tq,最短标记之时间长度为nminTq时,<Vq>ave/<Vi>ave在1.2-3之范围,<Vq>max/<Vq>min在1.5以下(i)同一区内,q,Tq,i,i,Pe,Pb及Pw为一定値,最短标记之物理长度nminTq<Vq>ave为0.5m以下,Tq<Vq>ave对1≦q≦p之所有之q为大致一定値,且,m=n-1或m=n-2,1=0.3-1.51≧i=0.2-0.8(2≦i≦m),i+i-1=1.0(3≦i≦m),0≦Pb≦1.5(mW),0.4≦Pe/Pw≦0.6,(ii)各区之Pb,Pw,Pe/Pw,i(1≦i≦m),1,m为可变,而从外周区向内周区域,至少使i(i系2≦i≦m之至少一项),单一减少,以进行记录。54.如申请专利范围第53项所述之光记录方法,使该记录领域之Pw之最大値为Pwmax,最小値为Pwmin时,Pwmax/Pwmin≦1.2。55.如申请专利范围第52项所述之光记录方法,系令波长600-680nm之光线,通过开口数NA为0.55-0.65之物镜,经由基板会聚在记录层,以进行资料之记录再生之光记录方法,上述记录领域之最内周在半径20-25mm之范围内,最外周在半径55-60mm之范围内,最内周侧区域之平均线速度为3-4m/s,第q区(其中,q系1≦q≦p之整数)之角速度为q,平均线速度<Vq>ave,最大线速度为<Vq>max,最小线速度为<Vq>min,基准时脉周期为Tq,最短标记之时间长度为nminTq时,n为1-14之整数,m=n-1,q,Pb及Pe/Pw不依区域,恒为一定値,Tq<Vq>ave对1≦q≦p之所有q为大致一定,且满足(<Vq>max-<Vq>min)/(<Vq>max+<Vq>min)<10%(i)在第1区时,11=0.3-0.8,11≧1i=0.2-0.4,不依i,恒为一定値(2≦i≦m),12+11≧1.0,1i+1i=1.0(3≧i≧m),(ii)在第p区时,p1=0.3-0.8,p1≧pi=0.3-0.5,不依i,恒为一定値(2≦i≦m),pi+pi-1=1.0(2≦i≦m),(iii)使其他各区,1i≦qi≦pi(2≦i≦m),qi取1i与pi间之値。56.如申请专利范围第55项所述之光记录方法,11≦q1≦p1(其中,11>p1)。57.如申请专利范围第55项所述之光记录方法,Pb,Pe/Pw,1,m不依区域,恒为一定値,仅使1,i(2≦i≦m)依区域而变化。58.一种光记录方法,其特征在于,在申请专利范围第1,4,7项中任一项所述之光学性资讯记录用媒体记录资讯时,在记录标记间照射可使非晶质结晶化之抹除功率Pe之记录光线,一个记录标记之时间长度为nT时(T系基准时脉周期,n系2以上之整数),将记录标记之时间长度nT,依1T,1T,1T.2T,2T,………,iT,iT,………,mT,mT,2T(其中,m系脉冲分割数,m=n-k,k系0≦k≦2之整数,而i(i+i)+1+2=n,1为1≧0之实数,2为2≧0之实数,0≦1+2≦2.0。i(1≦i≦m)为i>0之实数,i(1≦i≦m)为i>0之实数,1=0.1-1.5,1=0.3-1.0,m=0-1.5,在2≦i≦m之i,i在0.1-0.8之范围内,且不依i,恒为一定値,再者,在3≦i≦m之i,i+i-1在0.5-1.5之范围内,且不依i,恒为一定値。)之顺序加以分割,在iT(1≦i≦m)之时间内,照射足以使记录层溶融之Pw≧Pe之记录功率Pw之记录光线,在iT(1≦i≦m)之时间内,照射0<Pb≦0.2Pe(但在mT,有可能为0<Pb≦Pe)之偏压功率Pb之记录光线,不依线速度,使m,i+i-1(3≦i≦m),1T,及iT(2≦i≦m)为一定値,而m则随线速度变化,线速度愈小,m单一地增加。59.如申请专利范围第58项所述之光记录方法,若各记录线速度之最大记录功率为Pwmax,最小记录功率为Pwmin时,Pwmax/Pwmin≦1.2,Pe/Pw=0.4-0.6,0≦Pb≦1.5(mW)。60.如申请专利范围第59项所述之光记录方法,记录线速度在5m/s以下时,i<0.5n。61.如申请专利范围第59项所述之光记录方法,其最大记录线速度时之m为Hm,最小记录线速度时之m为Lm时,其他之记录线速度时之m取Hm与Hm间之値,而Pb,Pe/Pw比则不依记录线速度,恒为一定値。62.如申请专利范围第58项所述之光记录方法,其m不依记录线速度,恒为一定値。63.如申请专利范围第58项所述之光记录方法,系转动具有一定之记录领域之光学性资讯记录用媒体,藉多数之标记长度进行记录之方法,将记录领域在半径方向分割成多数区域,在各区域内,以一定之线速度进行记录,其最内周区域之记录线速度Vin与最外周区域之记录线速度Vout之比Vout/Vin为1.2-2,而依各区域之线速度使m变化。64.如申请专利范围第49项所述之光记录方法,系转动具有一定之记录领域之光学性资讯记录用媒体,藉多数之标记长度进行记录之方法,将记录领域在半径方向分割成多数区域,在各区域内,以一定之线速度进行记录,其最内周区域之记录线速度Vin与最外周区域之记录线速度Vout之比Vout/Vin为1.2-2,i=0.3-0.6(2≦i≦m)及m=0-1.5,使m,i+i-1(3≦i≦m),1T,Pe/Pw及Pb不依i,恒为一定値,而依线速度,使1及/或m改变。65.一种光记录方法,其特征在于,对申请专利范围第45项所述之光学性资讯记录用媒体进行记录时,所产生之基准时脉周期Tq,系各区之沟蛇行之基准时脉周期Twq之倍数,或约数。图式简单说明:第一图系表示非晶质标记(mark)形状之例子之图。第二图系表示在本发明一个例子之媒体进行记录时之反射率变化之图。第三图系表示本发明媒体之记录层之组成范围之GeSbTe三元状态图。第四图系表示传统之GeSbTe组成范围之GeSbTe三元状态图。第五图系表示本发明媒体之层架构之一个例子之模式图。第六图系表示信号强度与信号波幅,调变度之关系之信号波形图。第七图系说明反射率之第1保护层膜厚度依存性用之曲线图。第八图系表示功率3値调变记录方式之脉冲分割方法之一个例子之图。第九图系说明记录层之温度随时间变化之模式图。第十图系表示适合标记长度调变记录之功率3値调变记录方式之脉冲分割方法之一个例子之图。第十一图系说明实现第十图之脉冲分割方法用之三种闸产生电路之定时之概念图。第十二图系表示实施例1及比较例1之颤动之再生光功率依存性之曲线图。第十三图系表示在实施例1之颤动之记录脉冲分割方法依存性之曲线图。第十四图系表示在实施例1之颤动之记录脉冲分割方法依存性之曲线图。第十五图系表示在实施例2之颤动,反射率及调变度之记录功率依存性之曲线图。第十六图系表示在实施例2之颤动,反射率及调变度之返覆盖写次数依存性之曲线图。第十七图系表示实施例2(g1)及实施例2(d2)之颤动之标记长度依存性之曲线图。第十八图系表示在实施例2之颤动之基板之倾斜角依存性之曲线图。第十九图系表示在实施例4之10次盖写后之颤动之1及c依存性之曲线图。第二十图系表示在实施例4之颤动,Rtop及调变度之返覆盖写次数依存性之曲线图。第二十一图(a)系表示在实施例6之颤动之脉冲分割方法依存性,(b)系表示颤动之写入功率依存性,(c)系表示10次盖写后之Rtop及调变度之写入功率依存性之曲线图。第二十二图系表示在实施例6之颤动,Rtop及调变度之返覆盖写次数依存性之曲线图。第二十三图系表示在实施例6之颤动之标记长度依存性之曲线图。第二十四图(a)系表示在比较例2之颤动之脉冲分割方法依存性,(b)系表示颤动之写入功率依存性,(c)系表示10次盖写后之Rtop及调变度之写入功率依存性之曲线图。第二十五图系表示在比较例3使用之记录方法之脉冲分割方法之图。第二十六图系表示在比较例3之颤动之标记长度依存性及线速度依存性之曲线图。第二十七图系表示在比较例6之颤动之Pw及Pe依存性之曲线图。第二十八图系表示在比较例8之颤动之最短标记长度依存性之曲线图。第二十九图系表示在实施例10及比较例8之颤动之Pw依存性之曲线图。第三十图系表示数位资料信号与蛇行(wobbling)波形之关系之图。第三十一图系说明以数位资料信号调变蛇行波形之机构之图。第三十二图系表示实施例11之调变度与Rtop之沟宽度依存性之曲线图。
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