发明名称 于可挠性导线及可挠性印刷电路板形成电磁波干扰(EMI)遮蔽膜的方法及其产品
摘要 本发明涉及在扁平形状的可挠性导线或可挠性印刷电路板的一侧表面形成一用于遮蔽由该导线或印刷电路板所发射出之电磁波干扰的一或多层金属膜,其中物理蒸气沉积(例如溅镀)方式被采用以形成可兼顾EMl遮蔽能力,同时又非常薄(例如小于l或仅数微米厚皮)的金属膜而实质上不损及该导线及印刷电路板的可挠性。本发明方法可进一步在该金属膜上进行一防手纹处理例如施于一清漆或一蜡膜层。
申请公布号 TW456164 申请公布日期 2001.09.21
申请号 TW088113499 申请日期 1999.08.06
申请人 柏腾科技股份有限公司;○巷十弄八号 发明人 刘启志;陈在朴;黄光昭
分类号 H05K3/00 主分类号 H05K3/00
代理机构 代理人 陈展俊 台北巿和平东路二段二○三号四楼;林圣富 台北巿和平东路二段二○三号四楼
主权项 1.一种于可挠性导线或可挠性印刷电路板形成电磁波干扰(EMI)遮蔽膜的方法,包含下列步骤:a)清洁一可挠性导线或印刷电路板的欲被形成EMI遮蔽膜的一表面;b)于该清洁过的表面上物理蒸气沈积一第一金属膜;及c)于该第一金属膜上形成一最终保护膜。2.如申请专利范围第1项的方法,其进一步包含:b)于步骤c)之前于该第一金属膜上以物理蒸气沈积或电镀方式形成一第二金属膜,此第二金属膜具抗氧化及/或耐磨擦性而被作为该第一金属膜的初级保护膜,此时步骤c)的最终保护膜系以涂布方式所形成的清漆或蜡层。3.如申请专利范围第1项的方法,其中的步骤c)包含以物理蒸气沈积或电镀方式于该第一金属膜上形成一第二金属膜具抗氧化及耐磨擦性的第二金属膜而作为该最终保护膜。4.如申请专利范围第1.2或3项的方法,其中的步骤b)的物理蒸气沈积为溅镀。5.如申请专利范围第4项的方法,其中的第一金属膜为铜、银、金或铝膜,并且其厚度介于0.2微米至10微米。6.如申请专利范围第5项的方法,其中该第一金属膜的厚度为0.3-2微米。7.如申请专利范围第5项的方法,其中的第一金属膜为铜膜。8.如申请专利范围第2或3项的方法,其中该第二金属膜系以物理蒸气沈积被形成。9.如申请专利范围第8项的方法,其中该第二金属膜系以溅镀被形成。10.如申请专利范围第9项的方法,其中该第二金属膜系镍、铬、镍合金、铬合金或不锈钢膜,并且其厚度介于0.1微米至10微米。11.如申请专利范围第10项的方法,其中该第二金属膜为不锈钢膜。12.如申请专利范围第10项的方法,其中该第二金属膜的厚度为0.15-2微米。13.如申请专利范围第2项的方法,其中该最终保护膜为藉涂布液蜡所形成的蜡层。14.如申请专利范围第2项的方法,其中该最终保护膜为藉涂布清漆所形成的清漆层。15.如申请专利范围第1.2或3项的方法,其中于步骤(a)清洁之前,该表面不欲被形成EMI遮蔽膜的部份被贴以一耐高温黏性胶带而加予遮盖。16.一种具电磁波干扰(EMI)遮蔽膜的可挠性片状电子设备,包含:一可挠片状电子设备,其具有一绝缘表面;一沈积于该绝缘表面的第一金属膜,该第一金属膜系铜、银、金或铝膜,并且其厚度介于0.2至10微米;一形成于该一金属膜上的第二金属膜,该第二金属膜为镍、铬、镍合金、铬合金或不锈钢膜,并且其厚度介于0.1至10微米;及一形成于该第二金属膜上的最终保护膜,该最终保护膜为以涂布方式所形成的清漆或蜡层。17.如申请专利范围第16项的可挠性片状电子设备,其中该第一金属膜的厚度为0.3-2微米。18.如申请专利范围第16项的可挠性片状电子设备,其中的第一金属膜为铜膜。19.如申请专利范围第16项的可挠性片状电子设备,其中该第二金属膜为不锈网膜。20.如申请专利范围第16项的可挠性片状电子设备,其中该第二金属膜的厚度为0.15-2微米。21.如申请专利范围第16项的可挠性片状电子设备,其中该最终保护膜为为藉涂布液蜡所形成的蜡层。22.如申请专利范围第16项的可挠性片状电子设备,其中该最终保护膜为藉涂布清漆所形成的清漆层。23.如申请专利范围第16项的可挠性片状电子设备,其中该可挠片状电子设备为一具有绝缘外包覆的导线。24.如申请专利范围第16项的可挠性片状电子设备,其中该可挠片状电子设备为一具有绝缘外层的可挠性片状印刷电路板。25.如申请专利范围第16项的可挠性片状电子设备,其中该绝缘表面系由聚醯亚胺所形成。图式简单说明:第一图a为依本发明的一较佳实施例的方法之流程方块图。第一图b显示一可挠性印刷电路板于第一图a流程的步骤b)至c)时的剖面示意图。
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