| 主权项 |
1.一种半导体晶圆(12)之研磨方法,其系将研磨液(16 )注入半导体晶圆(12)及研磨垫(14)之间,再对该半导 体晶圆(12)进行镜面研磨,并藉研磨步骤以使其平 坦化及改进表面粗度,其中该研磨步骤中所用之研 磨垫(14)之物理性质为具有小于9%之低可压缩度及 等于或大于约150孔洞/平方公分之高孔洞密度。2. 根据申请专利范围第1项之半导体晶圆(12)之研磨 方法,其中该研磨垫(14)为一发泡树脂研磨垫(14),其 附着于一由不织布或发泡树脂所构成之基体(14A) 上。3.一种研磨垫(14),其系用于半导体晶圆(12)之 镜面研磨步骤以使其平坦化及改进表面粗度者,其 中该研磨垫(14)之物理性质为具有小于9%之低可压 缩度及等于或大于约150孔洞/平方公分之高孔洞密 度者。4.根据申请专利范围第3项之研磨垫(14),其 系用于半导体晶圆(12)之镜面研磨步骤者,其中该 研磨垫(14)为一发泡树脂研磨垫(14),其附着于一由 不织布或发泡树脂所构成之基体(14A)上。图式简 单说明: 第一图(A)为一研磨装置之正面示意图,该装置系应 用本发明之多阶段晶圆研磨方法者。第一图(B)为 一研磨头的纵向剖面图,其具有一吸引板及一晶圆 。第一图(C)系研磨垫的放大剖面图。 第二图为一图表,显示用具有各种孔洞密度及可压 缩度的最终研磨垫进行矽晶圆的镜面研磨后所测 得之表面粗度値。 |
