| 主权项 |
1.一种用以使具有电极之半导体元件安装于具有 导体垫之安装基材上之安装结构,该结构包含: 金属块,其使该半导体元件之该电极电连接至该导 体垫; 第一共熔焊料,其用于该金属块与该半导体元件之 该电极间之焊接; 第二共熔焊料,其用于该金属块与该基材之该导体 垫间之焊接; 该金属块之熔点系高于该第一及第二共熔焊料之 熔点,且该第一共熔焊料之疲劳抗性系高于该第二 共熔焊料之疲劳抗性。2.如申请专利范围第1项之 安装结构,其中该第一共熔焊料主要系由Sn组份及 Pb组份组成,且亦由In组份、Sb组份、Ag组份及Cu组 份之至少二者组成。3.如申请专利范围第1项之安 装结构,其中该金属块系高熔点焊料,Cu或Ni,其具有 高于该第一及第二共熔焊料者之熔点。4.一种用 于使具有电极之半导体元件安装于具有导体垫之 安装基材上之安装结构,该结构包含: 金属块,其使该半导体元件之该电极电连接至该导 体垫; 第一共熔焊料,其用于该金属块与该半导体元件之 该电极间之焊接; 第二共熔焊料,其用于该金属块与该基材之该导体 垫间之焊接; 该金属块之熔点系高于该第一及第二共熔焊料之 熔点,且该第二共熔焊料之疲劳抗性系高于该第一 共熔焊料之疲劳抗性。5.如申请专利范围第4项之 安装结构,其中该第二共熔焊料主要系由Sn组份及 Pb组份组成,且亦由In组份、Sb组份、Ag组份及Cu组 份之至少二者组成。6.如申请专利范围第4项之安 装结构,其中该金属块系高熔点焊料,Cu或Ni,其具有 高于该第一及第二共熔焊料者之熔点。7.一种半 导体元件,包含: 半导体构件,其具有形成电极之表面,于其上第一 电极端子及绝缘保护膜被形成; 线路图案,其系于该保护膜上形成,如此,被电连接 至该第一电极端子; 金属块,其被藉由第二电极端子电连接至该线路图 案; 共熔焊料,其用于该金属块与该第二电极端子间之 焊接,该共熔焊料具有高的抗疲劳性且系主要由Sn 组份与Pb组份所组成,且亦可为由In组份、Sb组份、 Ag组份以及Cu组份中之至少两者所组成;及 该金属块之熔点系高于该共熔焊料之熔点。8.一 种半导体元件,其包含: 半导体构件,其具有电极; 金属块,其系电连接至该电极; 共熔焊料,其用于该金属块与该电极间之焊接,该 共熔焊料具有高的抗疲劳性且系主要由Sn组份及Pb 组份组成,且其由In组份、Sb组份、Ag组份及Cu组成 组成;及 该金属块之熔点系高于该共熔焊料之熔点。9.如 申请专利范围第7或8项所述之半导体元件,其中该 共熔焊料系由63质量%之Sn组份、34.3质量%之Pb组份 、1质量%之In组份、0.7质量%之Sb组份及1质量%之Ag 组份所组成。图式简单说明: 第一图系用以解释依据本发明之半导体元件之安 装结构之一方面之例示; 第二图系用以解释依据本发明之晶片尺寸之半导 体元件之一方面及用以解释其中此半导体元件被 安装至印刷电路板之结构之例示; 第三图系用以解释依据本发明之晶片尺寸之半导 体元件及用以解释其半导体元件被安装至印刷电 路板之结构之另一方面之例示; 第四图系用以解释用于半导体元件之习知技艺安 装结构之例子之例示; 第五图系用以解释习知技艺半导体元件之例子之 例示; 第六图系用以解释习知技艺之半导体元件之另一 例子之例示; 第七图系图示与习知技艺有关之本发明功效之比 较实验资料;及 第八图系显示用于第七图实验之高温焊料球之截 面图。 |
