| 主权项 |
1.一种经由以粒子辐射(5)照射而测试复数主动微 结构元件(2)之功能之方法,其特征在于 全部于第一测试顺序被侦测为故障的微结构元件 被列举于第一错误表单,第一测试顺序系设计成若 属可能全部实际上故障的微结构元件皆被侦测出, 第一错误表单列举的微结构元件于至少一进一步 测试顺序中再度测试, 以及至少评估末次进行测试结果俾便建立整体测 试结果。2.如申请专利范围第1项之方法,其特征在 于至少一进一步测试顺序中进行微结构元件之错 误确证以及错误类型的特征化。3.如申请专利范 围第1项之方法,其特征在于对各微结构元件,侦测 及评估藉粒子辐射于微结构元件发射或反射的微 粒。4.如申请专利范围第3项之方法,其特征为当侦 测得之微粒接受评估时,于特定测试顺序被侦测为 故障之微结构元件被涵括于属于该次测试的错误 表单。5.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于 测试顺序期间微结构元件系以电力控制。6.如申 请专利范围第1项之方法,其特征在于进一步测试 顺序改变测试参数俾特征化微结构元件的错误类 型。7.如申请专利范围第6项之方法,其特征在于微 结构元件之电力控制于不同测试顺序为不同。8. 如申请专利范围第6项之方法,其特征在于对每次 进一步测试顺序,粒子辐射(5)之参数改变。9.如申 请专利范围第8项之方法,其特征在于粒子辐射之 能量及/或发射时间改变。10.如申请专利范围第1.2 .3.4.5.6.7.8.或9项之方法,其特征在于评估全部测试 顺序结果俾便建立整体测试结果。11.一种测试多 个微结构元件(2)之功能之装置,其系根据如申请专 利范围第1.2.3.4.5.6.7.8.或9项所述之方法进行测试, 该装置包含: a)一来源(10)用以产生粒子辐射, b)容纳装置(11)用以接纳具有复数微结构元件(2)之 基材(1), c)一侦测器(13)用以侦测由粒子辐射(5)于微结构元 件发射或反射之二次微粒(6), d)评估装置(14)用以评估侦测器(13)之输出信号, e)资料储存装置用以储存第一及至少一进一步测 试顺序资料,以及 f)评估装置用以评估全部测试顺序结果俾建立整 体测试结果。12.一种测试多个微结构元件(2)之功 能之装置,其系根据如申请专利范围第10项所述之 方法进行测试,该装置包含: a)一来源(10)用以产生粒子辐射, b)容纳装置(11)用以接纳具有复数微结构元件(2)之 基材(1), c)一侦测器(13)用以侦测由粒子辐射(5)于微结构元 件发射或反射之二次微粒(6), d)评估装置(14)用以评估侦测器(13)之输出信号, e)资料储存装置用以储存第一及至少一进一步测 试顺序资料,以及 f)评估装置用以评估全部测试顺序结果俾建立整 体测试结果。13.一种制造微结构元件(2)之方法,该 等元件系呈复数组构且测试于一基材,其特征在于 测试方法系根据如申请专利范围第1.2.3.4.5.6.7.8.或 9项之方法进行。14.一种制造微结构元件(2)之方法 ,该等元件系呈复数组构且测试于一基材,其特征 在于测试方法系根据如申请专利范围第10项之方 法进行。15.如申请专利范围第13项之方法,其特征 在于测试方法系于组构完成的微结构元件进行。 16.如申请专利范围第14项之方法,其特征在于测试 方法系于组构完成的微结构元件进行。17.如申请 专利范围第15项之方法,其特征在于测试方法系对 于微结构元件之中间产物进行。18.如申请专利范 围第16项之方法,其特征在于测试方法系对于微结 构元件之中间产物进行。19.如申请专利范围第13 项之方法,其特征在于微结构元件为显示器。20.如 申请专利范围第14项之方法,其特征在于微结构元 件为显示器。21.如申请专利范围第15项之方法,其 特征在于微结构元件为显示器。22.如申请专利范 围第16项之方法,其特征在于微结构元件为显示器 。23.如申请专利范围第17项之方法,其特征在于微 结构元件为显示器。24.如申请专利范围第18项之 方法,其特征在于微结构元件为显示器。图式简单 说明: 第一图为具有复数微结构元件之基材之示意顶视 图; 第二图为沿第一图线II-II之示意剖面图,以及 第三图为用于测试复数微结构元件之功能之装置 之示意说明图。 |
