| 主权项 |
1.一种洁净电接点的方法,该电接点是用来接触一 积体电路,该接点在使用时会累积污物,该方法包 含有下列步骤: 将电磁辐射导引至该接点上,其电磁能量会与该接 点和该污物中之至少一者产生反应,以使得该接点 上的污物中至少有一部份能被移除掉。2.根据申 请专利范围第1项的方法,其中该电磁辐射包含有 同调(Coherent)辐射。3.根据申请专利范围第1项的方 法,包含有使用雷射来产生该电磁辐射。4.根据申 请专利范围第1项的方法,其中该部份包含有有机 污物。5.根据申请专利范围第1项的方法,其中该部 份包含有聚亚胺。6.根据申请专利范围第1项的方 法,其中该部份包含有氧化铝。7.根据申请专利范 围第1项的方法,其中该部份包含有机污物和氧化 铝。8.根据申请专利范围第1项的方法,其中该接点 包含有导电性材料,且该电磁辐射可在大致上不会 去除掉该导电材料的情形下将该污物的该部份加 以移除。9.根据申请专利范围第1项的方法,其中该 接点包含有导电材料,且该电磁辐射系至少可部份 地熔化该导电材料。10.根据申请专利范围第1项的 方法,包含有选择该电磁辐射的波长来将污物加以 移除。11.根据申请专利范围第1项的方法,包含有 选择该电磁辐射的波长来使探针尖端的接触电阻 低于5欧姆。12.根据申请专利范围第1项的方法,包 含有选择该电磁辐射的波长来使探针尖端的接触 电阻低于2欧姆。13.根据申请专利范围第1项的方 法,其中该电磁辐射包含有位在400至700尘米之范围 内的波长。14.根据申请专利范围第1项的方法,其 中该电磁辐射系每个脉波180至320毫焦耳。15.根据 申请专利范围第1项的方法,其中该接点具有一直 径,且该电磁辐射包含有一束能量光束,该光束的 直径系大于该接点的直径。16.根据申请专利范围 第1项的方法,其中该电磁辐射包含有一束能够移 除污物的能量光束,该光束的直径大于90微米。17. 根据申请专利范围第1项的方法,其中该接点包含 有一探针尖端。18.一种洁净探针卡之探针尖端的 方法,该探针尖端系用来接触一积体电路,该探针 尖端在使用过程中会累积污物,该方法包含有下列 步骤: 将该卡置入一探针卡分析仪内;以及 在该卡位在探针卡分析仪内时,将电磁辐射导引至 该探针尖端上,该电磁能量可与该探针尖端和该污 物中之至少一者产生反应,以使其能将该探针尖端 上之污物中的至少一部份加以移除。19.根据申请 专利范围第18项的方法,该方法包含下列步骤: 在该探针卡位在探针卡分析仪内时,在该探针卡上 进行测试; 根据该测试来决定是否要将辐射导引至该卡中的 第二个探针尖端上。20.根据申请专利范围第18项 的方法,包含下列步骤: 测量该卡内之第二个探针尖端的阻抗; 如果该阻抗是位在探针尖端的某一特定作业范围 之外的话,则将电磁辐射导引至该第二探针尖端上 。21.根据申请专利范围第19项的方法,其中该特定 之作业范围是位在0至5欧姆之间。22.根据申请专 利范围第19项的方法,其中该特定之作业范围是位 在0至2欧姆之间。23.一种用来洁净测试卡上之电 接点的装置,该等接点在使用过程中会累积污物, 该装置包含有: 一个电磁辐射源; 光学设备,联结至该电磁辐射源上;以及 一测试卡固定座,系相对于该光学设备设置的,可 使得来自该电磁辐射源的电磁辐射能被导引至放 置在测试卡固定座内之测试卡上的接点上。24.根 据申请专利范围第23项的装置,其中该接点包含有 探针尖端,而该测试卡则包含有探针卡。25.根据申 请专利范围第23项的装置,包含有: 一个可移动的平台,联结至卡固定座上,可移动来 将该卡上的接点相对于该光学设备移动定位。26. 根据申请专利范围第23项的装置,包含有个显示器, 联结至该光学设备上。27.根据申请专利范围第23 项的装置,其中该电磁辐射源包含有一雷射。28.根 据申请专利范围第23项的装置,其中该电磁辐射包 含有位在电磁频谱之绿光范围内的辐射。29.根据 申请专利范围第23项的装置,其中该电磁幅射源包 含有气体雷射。30.根据申请专利范围第23项的装 置,其中该电磁辐射源包含有固态雷射。31.根据申 请专利范围第23项的装置,其中该电磁辐射包含有 一频率加倍的Nd:YAG雷射。32.根据申请专利范围第 23项的装置,其中该电磁辐射源包含有一频率加三 倍的Nd:YAG雷射。33.根据申请专利范围第23项的装 置,其中该电磁辐射包含有位在电磁频谱之紫外线 范围内的辐射。34.根据申请专利范围第23项的装 置,其中该电磁辐射源包含有一多波长雷射。35.根 据申请专利范围第23项的装置,其中该电磁辐射包 含有一光束,其具有大于该接点直径的直径。36.根 据申请专利范围第23项的装置,其中该电磁辐射包 含有一光束,其具有大于90微米的直径。37.根据申 请专利范围第23项的装置,其中该电磁辐射源具有 选择成能将该污物加以移除的波长。38.根据申请 专利范围第37项的装置,其中该电磁辐射源的波长 是选择成能将氧化铝自该接点上移除掉。39.根据 申请专利范围第37项的装置,其中该电磁辐射源的 波长是选择成能将氧化铝和有机材料自该接点上 移除掉。40.根据申请专利范围第23项的装置,该接 点包含有导电材料,而该电磁辐射则具有选择成能 至少部份地熔化该导电材料的波长。41.一种用来 洁净测试卡上之探针尖端的装置,该等探针尖端在 使用过程中会累积污物,该装置包含有: 一雷射; 光学设备,联结至该雷射上;以及 一测试卡固定座,系相对于该光学设备设置的,可 使得来自该雷射的电磁辐射能被导引至放置在测 试卡固定座内之测试卡上的探针尖端上。42.根据 申请专利范围第41项的装置,其中该雷射包含有气 体雷射。43.根据申请专利范围第41项的装置,其中 该雷射包含有固态雷射。44.根据申请专利范围第 41项的装置,其中该电磁辐射包含有来自电磁频谱 之紫外线范围内的辐射。45.根据申请专利范围第 41项的装置,其中该电磁辐射包含有来自电磁频谱 之绿光范围内的辐射。46.根据申请专利范围第41 项的装置,其中该辐射包含有位在200至3000尘米范 围内的波长。47.根据申请专利范围第41项的装置, 其中该辐射包含在400至700尘米范围内的波长。48. 根据申请专利范围第41项的装置,其中该辐射包含 有能量在每平方公分60至5000毫焦耳范围内的脉波 。49.根据申请专利范围第41项的装置,其中该辐射 包含有能量在每平方公分500至1500毫焦耳范围内的 脉波。50.根据申请专利范围第41项的装置,其中该 辐射包含有: 二种以上的脉波,其每一者均具有位在每平方公分 500至1500毫焦耳范围内的能量。51.根据申请专利范 围第41项的装置,其中该辐射包含有: 位在400至700尘米范围内的波长; 二种以上的脉波,其每一者均具有位在每平方公分 500至1500毫焦耳范围内的能量;以及 一光束,具有100微米的直径。52.根据申请专利范围 第41项的装置,其中该雷射包含有第IV级的雷射。53 .根据申请专利范围第41项的装置,其中该雷射包含 有第III B级的雷射。54.根据申请专利范围第41项的 装置,其中该光学设备包含有: 第一组件,具有第一放大倍率,用以观察该探针尖 端;以及 第二组件,具有第二放大倍率,用以观察多个探针 尖端; 其中该第一放大倍率是大于该第二放大倍率。55. 一种制造积体电路的方法,包含有下列步骤:制造 多个积体电路; 将该等积体电路的垫片与多个电接点相接触,该等 电接点系会在使用过程中累积污物; 利用该等多个电接点来测试该等积体电路; 封装该等多个积体电路; 将电磁辐射导引至该等多个电接点中的至少一个 接点上,其电磁能量会与该接点及位在该接点上的 污物中的至少一者产生反应,而使得位在该接点上 的污物中至少有一部份能被移除掉; 制造第二组多个积体电路; 在导引过该电磁辐射后,使用该等多个电接点来测 试该第二组多个积体电路;以及 封装该第二组多个积体电路。56.根据申请专利范 围第55项的方法,其中该电磁辐射包含有同调辐射 。57.根据申请专利范围第55项的方法,其中该电磁 辐射包含有来自电磁频谱之绿光范围的辐射。58. 根据申请专利范围第55项的方法,其中该电磁辐射 包含有来自电磁频谱之紫外线范围的辐射。59.根 据申请专利范围第55项的方法,包含有使用氙雷射 来产生该电磁辐射。60.根据申请专利范围第55项 的方法,包含有使用频率加倍Nd:YAG雷射来产生该电 磁辐射。61.根据申请专利范围第55项的方法,该接 点包含有导电材料,而该方法则包含有选择电磁辐 射之波长,以使得该导电材料中至少有一部份会熔 化。62.一种半导体测试装置,包含有: 测试用电子装置, 一测试卡,联结至该测试用电子装置上,该测试卡 包含有电接点,其等会在使用过程中累积污物; 一半导体固定座,系相对于该测试卡设置的;以及 一电磁辐射源,系可被导引至该等电接点中的至少 一个电接点上。63.根据申请专利范围第62项的半 导体测试装置,其中该测试卡包含有探针卡,而该 等电接点则包含有探针。64.根据申请专利范围第 62项的半导体测试装置,其中该电磁辐射源包含有 一雷射。图式简单说明: 第一图是根据本发明实施例的包含有雷射之用来 清洁电接点的装置的外观图。 第二图是探针卡的示意图,而雷射能量则是被导引 至探针尖端上。 第三图是探针尖端在以雷射辐射清洁之前与之后 的示意图。 第四图显示出探针尖端在以雷射辐射清洁之前与 之后的情形。 第五图是使用根据本发明实施例加以清洁过之探 针卡来测试积体电路之方法的流程图。 第六图是使用根据本发明实施便利用雷射辐射加 以清洁过之探针卡来制造积体电路之程序的流程 图。 |
