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1.一种用以形成高介电薄膜的金属有机化学沈积 装置,包括: 一装有溶于溶剂中之反应物的原料安瓿10, 一用于输送溶解反应物的液体微唧筒20, 一用于蒸发由微唧筒20输送进来的溶解反应物之 蒸发器30,及 一用于沈积蒸发反应物至已装载于其中之半导体 基板上的反应器70,该蒸发反应物是由一载体气体 供应至该反应器70中, 该金属有机化学沈积装置的特征为另外包括一溶 剂供应装置100,以供给额外量的溶剂至该蒸发器30 中,以防止反应物在蒸发器30中再凝结,及防止再凝 结反应物阻塞蒸发器30和反应器70间的输送管线。 2.如申请专利范围第1项之金属有机化学沈积装置, 其中该反应物包括Ba(二-特戊醯甲酸酯)2,Sr(二-特 戊醯甲酸酯)2和Ti(二特戊醯甲酸酯)2。3.如申请专 利范围第1项之金属有机化学沈积装置,其中该溶 剂是异丙基胺。4.如申请专利范围第1项之金属有 机化学沈积装置,其中该溶剂供应装置100包括一溶 剂安瓿40及一唧筒50。5.一种在半导体基板上形成 高介电薄膜的金属有机化学气相沈积方法,包括以 下的步骤: 提供一蒸发器和一反应器; 经由一液体微唧筒供应一已溶于溶剂中的反应物 至该蒸发器中; 另外经由一唧筒供应溶剂至蒸发器中,以防止反应 物在蒸发器中,且防止凝结的反应物阻塞蒸发器和 反应器间的输送管线; 蒸发蒸发器中的反应物; 及经由一载体气体输送蒸发的反应物至反应器中, 其中蒸发的反应物沈积在半导体基板上,在半导体 基板上形成一薄膜;及 经由一唧筒供应溶剂至蒸发器中,以洗涤形成薄膜 后残留的反应物。6.如申请专利范围第5项之金属 有机化学气相沈积方法,其中该反应物包恬Ba(二- 特戊醯甲酸酯)2,Sr(二-特戊醯甲酸酯)2和Ti(二-特戊 醯甲酸酯)2。7.如申请专利范围第5项之金属有机 化学气相沈积方法,其中该溶剂是异丙基胺。8.如 申请专利范围第5项之金属有机化学气相沈积方法 ,其中该薄膜是BaSrTiO3及SrTiO3薄膜。9.如申请专利 范围第5项之金属有机化学气相沈积方法,其中在 蒸发器中,反应物和反应剂的比例是从1:10至1:20。 10.一种在一半导体基板上形成一高介电薄膜的金 属有机化学气相层积方法,包括下述步骤: 提供一蒸发器和一反应器; 经由一液体微唧筒供应一已溶于异丙基胺中的反 应物至该蒸发器中; 另外经由一唧筒供应异丙基胺至蒸发器中,以防止 反应物在蒸发器中,且防止凝结的反应物阻塞蒸发 器和反应器间的输送管线,其中反应物和异丙基胺 的比例是从1:10至1:20; 蒸发蒸发器中的反应物,产生一蒸发的反应物; 及经由一载体气体输送蒸发的反应物至反应器中, 其中蒸发的反应物沈积在半导体基板上,在半导体 基板上形成一薄膜;及 经由一唧筒供应异丙基胺至蒸发器中,以洗涤形成 薄膜后残留的反应物。图式简单说明: 第一图是一概要图示,说明传统MOCVD的装置; 第二图是一概要图示,说明本发明的MOCVD装置;及 第三图是溶剂残留量对蒸发器温度所作的图。 |
