| 主权项 |
1.一种MOS型半导体装置,包含: 一闸极电极,其包含复数个叠层的复晶矽层,各层 均于该闸极电极的厚度方向上具有实质上单一的 晶粒;以及 一复晶矽氧化膜,其形成于该复晶矽层之间。2.一 种MOS型半导体装置的制造方法,包含以下各步骤: 形成一复晶矽膜于一闸极氧化膜上; 形成一复晶矽氧化膜于该复晶矽膜;与 加热该复晶矽膜,以使该复晶矽膜中的晶粒自该闸 极氧化膜与该复晶矽氧化膜成长。3.依申请专利 范围第2项之MOS型半导体装置的制造方法,其中该 形成该复晶矽氧化膜的步骤包含于氧气环境下回 火该复晶矽膜的步骤。4.依申请专利范围第2项之 MOS型半导体装置的制造方法,其中该加热该复晶矽 膜的步骤包含于氮气环境下回火该复晶矽膜的步 骤。5.依申请专利范围第3项之MOS型半导体装置的 制造方法,其中该加热该复晶矽膜的步骤包含于氮 气环境下回火该复晶矽膜的步骤。6.一种MOS型半 导体装置的制造方法,包含以下步骤:形成(N+1)层(N 为一自然数)复晶矽膜与N层复晶矽氧化膜于闸极 氧化膜上,使得该复晶矽膜与该复晶矽氧化膜相互 交替层叠。图式简单说明: 第一图为显示特开平4-287929号公报中所揭露之半 导体装置之闸极电极的剖视图; 第二图为显示依照本发明第一实施例之MOS型半导 体装置的闸极电极的剖视图; 第三图A至第三图D为显示依照本发明第一实施例 之MOS半导体装置之制造方法依步骤顺序之沿着A-A 连线(参照第四图)的剖视图; 第四图为显示本发明第一实施例中形成于MOS半导 体装置之矽基板上之N通道MOS电晶体与P通道MOS电 晶体的平面图; 第五图为显示依照本发明第二实施例之半导体装 置的闸极电极的剖视图;与 第六图为显示依照本发明第三实施例之半导体装 置的闸极电极的剖视图。 |
