| 主权项 |
1.一种静电消除性热塑性树脂组成物,其系一种包 含下列各者之化合物: (A)100重量份数之热塑性树脂; (B)10至200重量份数之聚合物,其于500V测量时其表面 电阻为108至1011,熔点为100℃或以上,于260℃1,000 秒-1表观剪切速率下之表观熔融粘度为10至1,000Pa.s ,上述表观熔融粘度对于260℃1,000秒-1表观剪切速 率下之热塑性树脂表观熔融粘度的比率为0.01至1.3 ;及 (C)1至100重量份数纤维状导电性填料,其体积电阻 为100cm或以下。2.如申请专利范围第1项之组 成物,其中该热塑性树脂(A)系选自包含衍生自苯乙 烯类、(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯与丁二烯、 聚烯烃、聚酯、聚碳酸酯、丙烯树脂、热塑性聚 胺甲酸酯、聚氯化乙烯、氟树脂、聚醯胺、聚缩 醛、聚或聚苯硫醚其中至少一种单体之结构单 位的聚合物。3.如申请专利范围第1项之组成物,其 中该热塑性树脂(A)系选自聚对苯二甲酸伸丁酯、 聚对苯二甲酸伸丙酯、聚对苯二甲酸伸乙酯、聚 伸丁基-2,6-二羧酸酯与聚伸乙基-2,6-二羧酸酯 。4.如申请专利范围第1项之组成物,其中聚合物(B) 系选自包括聚乙二醇为底质之聚醯胺共聚物、聚 甲基丙烯酸乙二醇酯共聚物、聚(氧化乙烯/氧化 丙烯)共聚物、聚乙二醇为底质之聚酯醯胺、聚乙 二醇为底质聚酯弹性体、聚(表氯醇/氧化乙烯)共 聚物及衍生自一种双酚与两个端基均具有羟基之 聚醯胺的氧化乙烯加成物之聚醚酯醯胺其中至少 一者。5.如申请专利范围第1项之组成物,其中纤维 状导电性填料(C)系选自包括碳纤维、金属纤维、 金属须状物、陶瓷须状物或有机聚合物须状物其 中至少一者。6.如申请专利范围第5项之组成物,其 中纤维状导电性填料(C)系一种碳纤维,而且该碳纤 维系未经涂覆之原始碳纤维及/或涂覆镍之碳纤维 。7.如申请专利范围第5项之组成物,其中该纤维状 导电性填料(C)系一种金属纤维,该金属纤维系由选 自拉丝法、熔融挤制法、熔融提取法、裁切法或 镀敷法之方法制造,而且系由选自包括Fe、Ni、Cu、 Al、Pb、SUS(铬钢)或Zn其中至少一种金属制得。8.一 种静电消除性树脂组成物,其系包含下列各者之化 合物: (A)100重量份数热塑性树脂; (B')1至30重量份数直径为1nm至1m,长度为1m至10mm ,而且体积电阻小于1cm之碳纤维;以及 (C)1至100重量份数体积电阻为100cm以下之纤维状 导电性填料。9.如申请专利范围第8项之组成物,其 中该热塑性树脂(A)系选自包含衍生自苯乙烯类、( 甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯与丁二烯、聚烯烃 、聚酯、聚碳酸酯、丙烯树脂、热塑性聚胺甲酸 酯、聚氯化乙烯、氟树脂、聚醯胺、聚缩醛、聚 或聚苯硫醚其中至少一种单体之结构单位的聚 合物。10.如申请专利范围第8项之组成物,其中该 热塑性树脂(A)系选自聚对苯二甲酸伸丁酯、聚对 苯二甲酸伸丙酯、聚对苯二甲酸伸乙酯、聚伸丁 基-2,6-二羧酸酯与聚伸乙基-2,6-二羧酸酯。11. 如申请专利范围第8项之组成物,其中纤维状导电 性填料(C)系选自包括碳纤维、金属纤维、金属须 状物、陶瓷须状物或有机聚合物须状物其中至少 一者。12.如申请专利范围第11项之组成物,其中纤 维状导电性填料(C)系一种碳纤维,而且该碳纤维系 未经涂覆之原始碳纤维及/或涂覆镍之碳纤维。13. 如申请专利范围第11项之组成物,其中该纤维状导 电性填料(C)系一种金属纤维,该金属纤维系由选自 拉丝法、熔融挤制法、熔融提取法、裁切法或镀 敷法之方法制造,而且系由选自包括Fe、Ni、Cu、Al 、Pb、SUS(铬钢)或Zn其中至少一种金属制得。14.一 种静电消除性树脂组成物,其包含: (A)100重量份数热塑性树脂; (B)1至150重量份数之聚合物,其于500V测量之表面电 阻为108至1011,熔点为100℃以上,于260℃1,000秒-1表 观剪切速率下之表观熔融粘度为10至1,000Pa.s,上述 表观熔融粘度对于260℃1,000秒-1表观剪切速率下之 上述热塑性树脂表观熔融粘度的比率为 0.01至1.3; (B')0.1至28重量份数直径为1nm至 1m,长度为1m至10mm,而且体积电阻小于1cm之碳 纤维;及 (C)1至100重量份数体积电阻为100cm以下之纤维状 导电性填料。15.如申请专利范围第14项之组成物, 其中该热塑性树脂(A)系选自包含衍生自苯乙烯类 、(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯与丁二烯、聚烯 烃、聚酯、聚碳酸酯、丙烯树脂、热塑性聚胺甲 酸酯、聚氯化乙烯、氟树脂、聚醯胺、聚缩醛、 聚或聚苯硫醚其中至少一种单体之结构单位的 聚合物。16.如申请专利范围第14项之组成物,其中 该热塑性树脂(A)系选自聚对苯二甲酸伸丁酯、聚 对苯二甲酸伸丙酯、聚对苯二甲酸伸乙酯、聚伸 丁基-2,6-二羧酸酯与聚伸乙基-2,6-二羧酸酯。 17.如申请专利范围第14项之组成物,其中聚合物(B) 系选自包括聚乙二醇为底质之聚醯胺共聚物、聚 甲基丙烯酸乙二醇酯共聚物、聚(氧化乙烯/氧化 丙烯)共聚物、聚乙二醇为底质之聚酯醯胺、聚乙 二醇为底质聚酯弹性体、聚(表氯醇/氧化乙烯)共 聚物及衍生自一种双酚与两个端基均具有羟基之 聚醯胺的氧化乙烯加成物之聚醚酯醯胺其中至少 一者。18.如申请专利范围第14项之组成物,其中纤 维状导电性填料(C)系选自包括碳纤维、金属纤维 、金属须状物、陶瓷须状物或有机聚合物须状物 其中至少一者。19.如申请专利范围第18项之组成 物,其中纤维状导电性填料(C)系一种碳纤维,而且 该碳纤维系未经涂覆之原始碳纤维及/或涂覆镍之 碳纤维。20.如申请专利范围第18项之组成物,其中 该纤维状导电性填料(C)系一种金属纤维,该金属纤 维系由选自拉丝法、熔融挤制法、熔融提取法、 裁切法或镀敷法之方法制造,而且系由选自包括Fe 、Ni、Cu、Al、Pb、SUS(铬钢)或Zn其中至少一种金属 制得。21.一种电子领域所使用之载体架,其系由申 请专利范围第1项之组成物制成。22.如申请专利范 围第21项之载体架,其中于测量长125mm与宽150mm载体 架任意表面积时,施加10kV电压所测得之饱和电压 差异(介于平均値、最小値与最大値间之关系)与 电压半衰时间同时符下列等式 Emax(V)-100(V)≦Eave(V)≦Emin(V)+100(V) Tmax(s)-5(s)≦Tave(s)≦Tmin(s)+5(s) 其中Eave、Emax与Emin系饱和电压之平均、最大与最 小値,而Tave、Tmax与Tmin分别系电压半衰时间之平均 、最大与最小値。23.如申请专利范围第22项之载 体架,其中欲测量之表面积系形成该载体架之树脂 表面任意平坦部分。24.如申请专利范围第21项之 载体架,其系一个具有至少一个用以支持晶圆之矽 晶圆载体。25.一种电子领域所使用之载体架,其系 由申请专利范围第8项之组成物制成。26.如申请专 利范围第25项之载体架,其中于测量长125mm与宽150mm 载体架任意表面积时,施加10kV电压所测得之饱和 电压差异(介于平均値、最小値与最大値间之关系 )与电压半衰时间同时符下列等式 Emax(V)-100(V)≦Eave(V)≦Emin(V)+100(V) Tmax(s)-5(s)≦Tave(s)≦Tmin(s)+5(s) 其中Eave、Emax与Emin系饱和电压之平均、最大与最 小値,而Tave、Tmax与Tmin分别系电压半衰时间之平均 、最大与最小値。27.如申请专利范围第25项之载 体架,其中欲测量之表面积系形成该载体架之树脂 表面任意平坦部分。28.如申请专利范围第25项之 载体架,其系一个具有至少一个用以支持晶圆之矽 晶圆载体。29.一种电子领域所使用之载体架,其系 由申请专利范围第14项之组成物制成。30.如申请 专利范围第29项之载体架,其中于测量长125mm与宽 150mm载体架任意表面积时,施加10kV电压所测得之饱 和电压差异(介于平均値、最小値与最大値间之关 系)与电压半衰时间同时符下列等式 Emax(V)-100(V)≦Eave(V)≦Emin(V)+100(V) Tmax(s)-5(s)≦Tave(s)≦Tmin(s)+5(s) 其中Eave、Emax与Emin系饱和电压之平均、最大与最 小値,而Tave、Tmax与Tmin分别系电压半衰时间之平均 、最大与最小値。31.如申请专利范围第29项之载 体架,其中欲测量之表面积系形成该载体架之树脂 表面任意平坦部分。32.如申请专利范围第29项之 载体架,其系一个具有至少一个用以支持晶圆之矽 晶圆载体。图式简单说明: 第一图所示为一模塑矽晶圆载体的侧边部份(1251 25mm,厚度约5mm),其经等分成九小部份,每一个长度 约41.7mm宽度50mm。所标记的1至9数字系用来显示该 等分之九小部份的排置。箭头则系显示在成形该 侧边部份时,供给树脂组成物的方向和位置。 |
