| 主权项 |
1.一种形成层间绝缘膜的方法,包括下列步骤: 施加射频电源至包含化合物之气体源,其中该化合 物包括矽以及至少一选自碳及氢族之元素, 其中该化合物系藉由该射频电源所聚合, 该聚合之化合物于一物件形成一薄膜,该薄膜包括 矽以及至少一选自碳及氢族之元素;及 氧化该薄膜所包括矽以及至少一选自碳及氢族之 元素以成为多孔状之二氧化矽薄膜。2.如申请专 利范围第1项所述之方法,其中该气体源更包括O2, 该化合物及O2系藉由该射频电源所聚合以形成该 包括矽以及至少一选自碳及氢族元素之薄膜。3. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中该气体源 更包括H2O,该化合物及H2O系藉由该射频电源所聚合 以形成该包括矽以及至少一选自碳及氢族元素之 薄膜。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该 气体源更包括一包含硼及氢之化合物,其中该包含 硼及氢之化合物系藉由该射频电源与该包含矽以 及至少一选自碳及氢族元素之化合物聚合, 其中该包含矽以及至少一选自碳及氢族元素之薄 膜更包括硼, 该薄膜包含矽、硼、以及至少一选自碳及氢族元 素系藉由包含硼及氢之聚合化合物及该包含矽以 及至少一选自碳及氢族元素之聚合化合物所组成 的, 该多孔二氧化矽层更包括硼。5.如申请专利范围 第4项所述之方法,其中该气体源更包括氧,该氧、 该包含矽以及至少一选自碳及氢族元素之化合物 、及该包含硼及氢之化合物,系经由射频电力所聚 合而成的,且该包含矽、硼、以及至少一选自碳及 氢族元素之薄膜更包括氧,该包含矽、硼、氧以及 至少一选自碳及氢族元素之薄膜系经由氧、该包 含矽以及至少一选自碳及氢族元素之聚合化合物 、及该包含硼及氢之聚合化合物所聚合而成的。6 .如申请专利范围第4项所述之方法,其中该气体源 更包括水,该水、该包含矽以及至少一选自碳及氢 族元素之化合物、及该包含硼及氢之化合物,系经 由射频电力所聚合而成的,且该包含矽、硼、以及 至少一选自碳及氢族元素之薄膜更包括氧,该包含 矽、硼、氧以及至少一选自碳及氢族元素之薄膜 系经由水、该包含矽以及至少一选自碳及氢族元 素之聚合化合物、及该包含硼及氢之聚合化合物 所聚合而成的。7.如申请专利范围第1项所述之方 法,其中该气体源更包括一包含氟及碳之化合物, 其中该包含氟及碳之化合物系藉由该射频电源与 该包含矽以及至少一选自碳及氢族元素之化合物 聚合,其中该包含矽以及至少一选自碳及氢族元素 之薄膜更包括氟, 该薄膜包含矽、氟、以及至少一选自碳及氢族元 素系藉由包含氟及碳之聚合化合物及该包含矽以 及至少一选自碳及氢族元素之聚合化合物所组成 的。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该气 体源更包括氧,该氧、该包含矽以及至少一选自碳 及氢族元素之化合物、及该包含氟及碳之化合物, 系经由射频电力所聚合而成的,且该包含矽、氟、 以及至少一选自碳及氢族元素之薄膜更包括氧,该 包含矽、氟、氧以及至少一选自碳及氢族元素之 薄膜系经由氧、该包含矽以及至少一选自碳及氢 族元素之聚合化合物、及该包含碳及氟之聚合化 合物所聚合而成的。9.如申请专利范围第7项所述 之方法,其中该气体源更包括水,该水、该包含矽 以及至少一选自碳及氢族元素之化合物、及该包 含氟及碳之化合物,系经由射频电力所聚合而成的 ,且该包含矽、氟、以及至少一选自碳及氢族元素 之薄膜更包括氧,该包含矽、氟、氧以及至少一选 自碳及氢族元素之薄膜系经由氧、该包含矽以及 至少一选自碳及氢族元素之聚合化合物、及该包 含硼及氢之聚合化合物所聚合而成的。10.如申请 专利范围第1至9项之任一项所述之方法,其中该包 含矽以及至少一选自碳及氢族元素之化合物系选 自包括TEOS、SiH4.Si(CH3)3H3.及三(三甲基矽氧)硼({(CH3 )3SiO}3B)族群之一者。11.如申请专利范围第4项所述 之方法,其中该包含硼及氢之化合物系选自包括B2H 6.TMB(B(OCH3)3)及TEB(B(OC2H5)3)族群之一者。12.如申请 专利范围第7项所述之方法,其中该包含氟及碳之 化合物为C2F6。13.如申请专利范围第1项所述之方 法,其中该气体源系加入惰性气体。14.如申请专利 范围第1项所述之方法,系利用氧电浆执行氧化之 动作。15.如申请专利范围第1项所述之方法,更包 括下列步骤: 以氢电浆处理该多孔二氧化矽薄膜。16.如申请专 利范围第1项所述之方法,其中该层间绝缘膜系形 成于该形成之目标,而该二氧化矽薄膜系形成于该 层间绝缘膜。17.如申请专利范围第1项所述之方法 ,更包括下列步骤: 在形成多孔二氧化矽薄膜于该形成之目标后,于该 多孔二氧化矽薄膜上形成镶嵌沟槽; 于该镶嵌沟槽侧部形成一边墙绝缘薄膜; 于该镶嵌沟槽埋入一金属薄膜;及 于该金属薄膜形成一阻障金属薄膜。18.如申请专 利范围第17项所述之方法,其中该边墙绝缘薄膜系 藉由在形成该镶嵌沟槽后于该多孔二氧化矽薄膜 及该镶嵌沟槽侧部及底部形成一第一绝缘薄膜,并 非等相性蚀刻该第一绝缘薄膜以移除位于该镶嵌 沟槽底部之部分并剩下位于该镶嵌沟槽侧部之部 分。19.如申请专利范围第1项所述之方法,更包括 下列步骤: 在形成该多孔二氧化矽薄膜后于该该多孔二氧化 矽薄膜形成一覆盖绝缘薄膜。图式简单说明: 第一图A至第一图H系各自显示根据本发明第一、 三、五、七、九、十一、十三实施例之形成层间 绝缘膜的方法之剖面图。 第二图A至第二图M系各自显示根据本发明第二、 四、六、八、十、十二、十四实施例之形成层间 绝缘膜的方法之剖面图。 |
