| 主权项 |
1.一种修复信号发生电路,包括: 第1p通道电晶体,源极连接至电源,在闸极上输入了 重置信号; n通道电晶体,源极连接至被接地之熔线的另一端, 汲极连接至上述第1p通道电晶体之汲极,而输入了 上述重置信号至闸极; 第2p通道电晶体,汲极连接至上述第1p通道电晶体 和n通道电晶体的连接点,源极连接至上述电源,而 比上述n通道电晶体导通阻抗大;以及 反相器,输入侧连接至上述连接点,输出侧连接至 上述第2p通道电晶体的闸极。2.如申请专利范围第 1项所述的修复信号发生电路,其中上述电源和上 述连接点之间,再连接了电容器。3.如申请专利范 围第1项所述的修复信号发生电路,其中更包括了 使表示重置解除之上述重置信号延迟的延迟电路, 而延迟输出表示重置解除之上述重置信号,至搭载 着修复信号发生电路之半导体积体电路上之其他 电路上。4.如申请专利范围第3项所述的修复信号 发生电路,其中上述延迟电路包括至少复数段的正 反器,而和供给至上述半导体积体电路的系统时脉 同步,延迟输出表示重置解除之上述重置信号。5. 如申请专利范围第4项所述的修复信号发生电路, 其中又包括: 第2正反器电路,回应上述复数段的正反器电路所 输出的重置信号,而锁存输出上述反相器所输出的 修复信号; 第3正反器电路,使上述复数段的正反器电路所输 出的重置信号又更延迟;以及 重置信号输入电路,取上述第3正反器电路所输出 的重置信号之反相信号,和输入至该修复信号发生 电路之上述重置信号的逻辑和,而输出至上述第1p 通道电晶体与上述n通道电晶体之闸极。图式简单 说明: 第一图系表示本发明之实施例1之修复信号发生电 路的构造之电路图。 第二图系表示本发明之实施例2之修复信号发生电 路的构造之电路图。 第三图系表示本发明之实施例3之修复信号发生电 路的构造之电路图。 第四图系表示本发明之实施例4之修复信号发生电 路的构造之电路图。 第五图系表示习知的修复信号发生电路之构造的 电路图。 |
