| 发明名称 |
METODE PEMBUATAN LAPISAN EPITAKSI SILIKON DI ATAS SILIKON BERPORI DENGAN TEKNIK LPCVD (LOW PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION) |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
ID29662(A) |
申请公布日期 |
2001.09.20 |
| 申请号 |
ID20000000194D |
申请日期 |
2000.03.15 |
| 申请人 |
INSTITUT TEKNOLOGI BANDUNG |
发明人 |
DR. SUKIRNO;DADI RUSDIANA MSI.;SULHADI MSI.;YUDI DARMA SSI.;DEWI OKTAVA MSI. |
| 分类号 |
C23C16/00;(IPC1-7):C23C16/00 |
主分类号 |
C23C16/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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