发明名称 | 通过离子注入形成导电区的方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种通过三维离子注入法形成导电区的方法。本发明涉及一由聚合物制成的目标器件,在该器件表面上通过注射加速离子形成导电区。该方法的进行如下:引入一器件,提供离子,第一次注射离子,旋转该器件,第二次注射离子,以及卸出该器件。由于重量降低,因此该离子注入方法使运输费用降低,并且保持了透明性,形成均匀导电区,以及免去使用昂贵材料。 | ||
申请公布号 | CN1313409A | 申请公布日期 | 2001.09.19 |
申请号 | CN00124374.8 | 申请日期 | 2000.09.07 |
申请人 | 株式会社EPON | 发明人 | 金镇喆 |
分类号 | C23C14/48;H05H1/00;B65G49/07 | 主分类号 | C23C14/48 |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 于辉 |
主权项 | 1.通过离子注入形成导电区的方法,其中导电区是通过将加速离子注入到由聚合物制成的器件的表面上形成的。 | ||
地址 | 韩国汉城 |