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发明名称
Method for detecting an end point of etching in a plasma-enhanced etching process
摘要
申请公布号
GB2351349(B)
申请公布日期
2001.09.19
申请号
GB20000014995
申请日期
2000.06.19
申请人
* NEC CORPORATION
发明人
TOSHITAKA * SHIOBARA
分类号
H01L21/302;C23F4/00;H01J37/32;H01L21/3065;(IPC1-7):H01L21/306
主分类号
H01L21/302
代理机构
代理人
主权项
地址
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