发明名称 形成钨柱塞的方法
摘要 在互连被层间绝缘膜所绝缘的上层布线导体和下层布线导体的钨柱塞的形成方法中,在形成于下层布线导体上的层间绝缘膜上形成粘附层。在粘附层上淀积光刻胶层,并在其中形成开口。以其作为掩模,通过各向同性腐蚀,选择性去除缘向外收缩的开口。形成贯通层间绝缘膜的孔,露出下层布线导体,在层间绝缘膜的孔内形成钨层,从而形成填充在层间绝缘膜的孔内的钨。$#!
申请公布号 CN1071490C 申请公布日期 2001.09.19
申请号 CN95119463.1 申请日期 1995.12.20
申请人 日本电气株式会社 发明人 松本明
分类号 H01L21/768;H01L21/285 主分类号 H01L21/768
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 杜日新
主权项 1.一种形成钨柱塞的方法,该钨柱塞互连被层间绝缘膜所相互绝缘的上层导体和下层导电区,包括以下步骤:在所述下层导电区上形成所述层间绝缘膜;在所述层间绝缘膜上形成粘附层;在所述粘附层上形成光刻胶层;在所述光刻胶层中形成开口,由此用有开口的所述光刻膜层作掩膜层,用于在所述层间绝缘膜中形成孔;选择性去除所述粘附层,形成与形成在所述光刻胶层中的所述开口对应的开口,而且从形成在所述光刻胶层中的所述开口的边缘周围进一步去除在钨生长时否则将会成为生长核的所述粘附层;形成贯通所述层间绝缘膜的孔,以使所述下层导电区在所述孔的底部露出;把钨填充入所述层间绝缘膜的所述孔内,从而形成填充所述层间绝缘膜的所述孔的钨。
地址 日本东京