发明名称 |
Integrated memory having backplate segments |
摘要 |
<p>Der integrierte Speicher weist Treibereinheiten DRVi auf, über die die Spaltenauswahlleitungen CSLi mit den Plattenleitungssegmenten PLi verbunden sind und die in Abhängigkeit des Potentials der zugehörigen Spaltenauswahlleitungen CSLi sowie der Wortadressen RADR auf den mit ihnen verbundenen Plattenleitungssegmenten PLi Potentiale erzeugen, die für jeden Betriebszustands des Speichers definierte Werte haben. <IMAGE></p> |
申请公布号 |
EP1134744(A2) |
申请公布日期 |
2001.09.19 |
申请号 |
EP20010104151 |
申请日期 |
2001.02.21 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
BRAUN, GEORG;HOENIGSCHMID, HEINZ |
分类号 |
G11C11/22;H01L21/8246;H01L27/10;H01L27/105;(IPC1-7):G11C11/22 |
主分类号 |
G11C11/22 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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