Method and apparatus for photothermically analysing a material layer, especially film thickness measurement

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur photothermischen Analyse einer Materialschicht (12), insbesondere zur Schichtdickenmessung, bei dem die Oberfläche einer ersten Materialschicht (16) mit elektromagnetischer Strahlung (S) angeregt und von der Schichtoberfläche emittierte Wärmestrahlung (T) mit einem ersten Temperaturverlauf erfaßt wird, die Oberfläche einer zweiten Materialschicht (14) angeregt und von der Schichtoberfläche emittierte Wärmestrahlung mit einem zweiten Temperaturverlauf erfaßt wird, wobei die erste Materialschicht eine Referenzschicht und die zweite Materialschicht die zu analysierende Materialschicht ist. Ein Streckungsfaktor zwischen dem ersten und dem zweiten Temperaturverlauf wird ermittelt, und der Streckungsfaktor wird als eine Kennzahl für das Verhältnis der zu analysierenden Materialschicht zu der Referenzschicht verwendet. Die Erfindung sieht auch eine entsprechende Vorrichtung zur photothermischen Analyse sowie ein Computerprogramm zur Durchführung des Verfahrens vor. <IMAGE>