| 发明名称 | 碳膜及其形成方法以及碳膜被覆物品及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及包含氟和氢的碳膜,该碳膜的FT－IR(傅里叶变换红外线)分光分析法的光谱中,来源于C－F键的1000cm<SUP>－1</SUP>～1300cm<SUP>－1</SUP>的峰面积(IR·C－F)和来源于C－H键的2800cm<SUP>－1</SUP>～3100cm<SUP>－1</SUP>的峰面积(IR·C－H)之比(IR·C－F)/(IR·C－H)大于0,且XPS(X射线光电子分光分析法)光谱中,来源于F<SUB>1S</SUB>的峰强度和来源于C<SUB>1S</SUB>的峰强度之比(F<SUB>1S</SUB>/C<SUB>1S</SUB>)大于0小于3。还涉及包含氢和氮的碳膜,以及包含氢和1种或2种以上选自金属单体、金属化合物、硅单体、硅化合物的物质的碳膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1313914A | 申请公布日期 | 2001.09.19 |
| 申请号 | CN00801145.1 | 申请日期 | 2000.06.14 |
| 申请人 | 日新电机株式会社 | 发明人 | 村上泰夫;中东孝浩;竹内上 |
| 分类号 | C23C16/26;C01B31/02 | 主分类号 | C23C16/26 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 章鸣玉 |
| 主权项 | 1．一种碳膜，其特征在于，包含氟和氢，所述碳膜的FT-IR(傅里叶变换红外线)分光分析法的光谱中，来源于C-F键的1000cm-1～1300cm-1的峰面积(IR·C-F)和来源于C-H键的2800cm-1～3100cm-1的峰面积(IR·C-H)之比(IR·C-F)/(IR·C-H)大于0，且XPS(X射线光电子分光分析法)光谱中，来源于F1S的峰强度和来源于C1S的峰强度之比(F1S/C1S)大于0小于3。 | ||
| 地址 | 日本京都府京都市 | ||