| 摘要 |
반도체 불휘발성 기억장치와 라이트방식에 관한 것으로써, 리라이트 회수의 증가, 약한 라이트동작의 완화 및 약한 라이트동작을 방지하기 위해, 터널절연막을 거친 터널전류에 의해서 플로팅게이트의 축적전하를 소거시키는 불휘발성기억소자가 매트릭스배치되어 되고, 동일한 워드선에 컨트롤게이트가 결합되는 여러개로 이루어지는 불휘발성기억 소자가 분할된 블럭마다의 상기 소거가 가능하게 된 것에 있어서, 각 블럭마다 공통화 된 불휘발성기억소자의 소오스선에 대해서 라이트시에 있어서 각 블럭마다 공통화된 불휘발성기억소자의 소오스선에 대해서 라이트시에 있어서 선택된 블럭에 대해서는 회로의 접지전위를 부여하고, 비선택의 블럭에 대해서는 플로팅게이트와 소오스, 드레인간의 전위차를 작게하거나 또는 1개의 메모리블럭에 있어서 라이트시에 비선택의 메모리블럭에서는 워드선에 고전압이 공급되지 않는 워드선 및 소오스선의 구성으로 한다. 이러한 장치와 방식을 이용하는 것에 의해, 비선택의 메모리블럭에 있어서 라이트동작에 의한 바라지않는 터널전류의 발생을 방지 또는 저감시킬 수 있다. |
