发明名称 |
Verfahren zum Prüfen von Halbleiteranordnungen für die aktive Messung von elektrischen Eigenschaften |
摘要 |
Ein Verfahren zum Prüfen einer Halbleiterkomponente für einen aktiven Einzelanordnungstest umfaßt erfindungsgemäß das Bereitstellen einer zu prüfenden Halbleiteranordnung (100) und das Zugreifen auf wenigstens eine Komponente (161) der Halbleiteranordnung durch gleichzeitiges Bohren eines Lochs (125) und Einbringen eines Pfropfens (124) in das Loch, um die Verbindung mit der wenigstens einen Komponente herzustellen. Ein Schaltkreis wird durch den Pfropfen hergestellt, um elektrische Messungen der Halbleiteranordnung durchzuführen.
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申请公布号 |
DE10107081(A1) |
申请公布日期 |
2001.09.13 |
申请号 |
DE20011007081 |
申请日期 |
2001.02.13 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES NORTH AMERICA CORP., SAN JOSE;INFINEON TECHNOLOGIES RICHMOND LLP, SANDSTON |
发明人 |
ZIMMERMANN, GUNNAR;JOHNSTON, MARK |
分类号 |
G01R31/27;(IPC1-7):H01L21/66;H01L21/283;H01L21/60 |
主分类号 |
G01R31/27 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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