| 摘要 |
Eine sehr kleine, vorstehende punktförmige Markierung (M') wird auf einem Teil einer Oberfläche eines Halbleiters-Wafers ausgebildet. Eine gewachsene Schicht wird durch epitaktische Behandlung auf einer kompletten Oberfläche des Halbleiter-Wafers (W) inklusive der Punktmarkierung (M') aufgewachsen, um so eine Punktmarkierung (M) auszubilden. Während dieses Wachstumsprozesses wird die punktförmige Markierung (M') zu der Form einer polygonalen, eine klare Rückenlinie, die denselben Azimuth der Kristallachse wie die des Wafers (W) anzeigen, beinhaltenden Pyramide geändert. Diese Rückenlinie wird optisch ausgelesen, so daß der Azimuth der Kristallachse des Wafers (W) bestimmt werden kann. Daher ist es möglich, einen Halbleiter-Wafer mit einer Punktmarkierung (M) zu erhalten, die eine besondere Form aufweist, welche eine exellente optische Sichtbarkeit aufweist und den Azimuth der Kristallachse anzeigt, und ein Verfahren zum Ausbilden der Punktmarkierung (M) angeben. |
