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发明名称 Halbleiteranordnung mit einem Isolationsgraben und Verfahren zur Herstellung
摘要
申请公布号 DE69520121(T2) 申请公布日期 2001.09.13
申请号 DE19956020121T 申请日期 1995.05.31
申请人 STMICROELECTRONICS LTD., ALMONDSBURY 发明人 EVANS, DYLAN WYN;GUITE, DAVID RALPH;HENRY, MARTIN ANDREW
分类号 H01L21/76;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/76 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人
主权项
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