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Mit zunehmender Integrationsdichte integrierter Schaltkreise kann die Packungsdichte in zwischen den integrierten Schaltkreisen liegenden Testbereichen (Kerf-Strukturen) nicht wesentlich erhöht werden, da der größte Teil der zur Verfügung stehenden Fläche von Kontaktflächen eingenommen wird. Die Erfindung ist daher gerichtet auf einen Teststrukturbereich (1) auf einem Wafer mit Kontaktflächen (2) zum Anlegen von Spannungen und Testbauelementen (3) zwischen den Kontaktflächen (2), der dadurch gekennzeichnet ist, dass zumindest zwei Testbauelemente (3) zwischen jeweils zwei benachbarten Kontaktflächen (2) angeordnet sind, welche mit den benachbarten Kontaktflächen (2) verbunden sind, so dass eine Spannung über die Kontaktflächen (2) an die Testbauelemente (3) anlagebar ist.
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