| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé et un système servant à fabriquer une tranche de silicium. On identifie l'orientation cristallographique du lingot. On pose ensuite des repères sur le lingot. Ces repères comprennent les données du fabricant, ainsi que les informations spécifiques à ce lingot. Ces repères identifient également l'orientation cristallographique du lingot. On découpe une pluralité de tranches dans le lingot, chacune de ces tranches présentant une partie des repères. On revêt ensuite de repères un bord périphérique de la tranche. Ces derniers comportent une marque servant à identifier l'orientation cristallographique de la tranche, ainsi que des informations spécifiques concernant le lingot et la tranche. Les repères de la tranche peuvent éventuellement comporter des niveaux de dopants, ainsi que des niveaux de résistivité et de conductivité de cette tranche.</p> |
