| 主权项 |
1.一种半导体装置,包括:一绝缘基底;一第一半导体元件区域,具有形成于上述绝缘基底之上的一数位信号电路;一第二半导体元件区域,具有形成于上述绝缘基底之上的一类比信号电路;以及一屏蔽电极,在上述第一和第二半导体元件区域中,只在该第一半导体元件区域的上方和下方的至少其中之一。2.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中上述屏蔽电极分别在该第一半导体元件区域的上方和下方。3.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中上述第一半导体元件区域包括:一电晶体区域,其上具有一电晶体形成;以及一光屏蔽构件,在上述电晶体区域下方,上述光屏蔽构件与上述屏蔽电极隔离。4.如申请专利范围第3项所述之半导体装置,其中上述屏蔽电极与上述光屏蔽构件形成于相同的导体层上。5.一种半导体装置,包括:一绝缘基底;一扫描电路区域,包括:一开关电晶体,用以输出形成于上述绝缘基底上的电荷;及一时脉配线,用以决定上述开关电晶体的开关时序;以及一屏蔽导体构件,在上述扫描电路区域的下方。6.如申请专利范围第5项所述之半导体装置,其中上述屏蔽导体构件分别在每一上述开关电晶体形成的区域和上述时脉配线形成的区域之上。7.如申请专利范围第5项所述之半导体装置,其中上述屏蔽导体构件仅在上述开关电晶体形成的区域和上述时脉配线形成的区域两者中的该时脉配线形成的区域之上。8.如申请专利范围第5项所述之半导体装置,其中上述时脉配线包括第一和第二配线,两种彼此异相的时脉信号传输至上述第一和第二配线,上述屏蔽导体构件分别形成于上述第一配线形成的区域和第二配线形成的区域上。9.如申请专利范围第5项所述之半导体装置,又包括一影像侦知器电路,具有一光电元件,用以检测输入光,并输出一电信号,上述电信号被传输到上述开关电晶体,以输出电荷。10.如申请专利范围第9项所述之半导体装置,又包括一光屏蔽层,在上述开关电晶体区域下方,上述光屏蔽层屏蔽上述输入光,上述输入光来自进入上述开关电晶体的光源。11.如申请专利范围第10项所述之半导体装置,其中,上述屏蔽导体构件和上述光屏蔽层形成于同一导体层之上。12.一种半导体装置的制造方法,上述半导体装置具有一绝缘基底和一扫描电路区域,上述扫描电路区域包括用以输出形成于该绝缘基底上的电荷的一开关电晶体,以及用以决定上述开关电晶体的一时脉配线,上述方法包括下列步骤:形成一屏蔽导体构件于上述扫描电路区域形成的区域下方的位置。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中,上述半导体装置具有一光电元件,用以检测输入光,并输出一电信号;以及上述方法包括一步骤:在形成上述屏蔽导体构件时,同时形成一光屏蔽层,用以屏蔽上述输入光,上述输入光来自进入上述开关电晶体的光源。14.一种影像侦知器装置,包括:一半导体装置,如申请专利范围第9至第11项其中一项所述者;一光元件,将上述输入光引进入上述影像侦知器电路;以及一第二屏蔽导体构件,置放的位置使上述扫描电路在第二屏蔽导体构件和上述屏蔽导体构件之间。15.如申请专利范围第14项所述之影像侦知器装置,其中,上述第二屏蔽导体构件和上述屏蔽导体构件大体上并列。16.如申请专利范围第14项所述之影像侦知器装置,其中,上述第二屏蔽导体构件和上述屏蔽导体构件大体上垂直。17.如申请专利范围第14项所述之影像侦知器装置,其中,上述光元件与上述半导体装置结合,而且,上述屏蔽导体构件与上述光元件集积整合。18.如申请专利范围第17项所述之影像侦知器装置,其中上述光元件包括将上述输入光导入上述影像侦知器电路的光纤,以及用以支持上述光纤的支持构件。19.如申请专利范围第18项所述之影像侦知器装置,其中上述第二屏蔽导体构件包括一金属层,置于上述支持构件的表面上。20.如申请专利范围第18项所述之影像侦知器装置,其中上述支持构件与上述第二屏蔽导体构件相当。21.如申请专利范围第14项所述之影像侦知器装置,其中上述光元件包括一透明电极,在上述光元件与上述半导体装置接合面的反面上,上述透明电极接地。22.一种影像侦知器装置,包括:一基底;以及复数个光接收元件群组,形成在上述基底上,上述复数个光接收元件群组彼此的光接收面积不同。23.如申请专利范围第22项所述之影像侦知器装置,其中每一个上述光接收元件群组包括一光接收元件阵列,上述光接收元件阵列包括复数个彼此光接收面积相同而且一维配置的光接收元件,上述复数个光接收元件群组安排成使上述各光元件接收阵列大体上互相平行。24.如申请专利范围第22项所述之影像侦知器装置,其中上述基底具透光性。25.如申请专利范围第22项所述之影像侦知器装置,其中上述影像侦知器装置是一种紧密接触待读影像的型式。26.如申请专利范围第22项所述之影像侦知器装置,又包括:一驱动输出电路,具有位移暂存器,用以在预定的时序从上述光接收元件中依序选择一个待驱动的光接收元件;一光接收元件阵列选择控制电路,用以从上述复数个光接收元件阵列中选择一个预定的光接收元件阵列;一解码器电路,输出光接收元件选择信号,用以根据上述驱动输出电路和上述光接收元件阵列选择控制电路的输出信号选择上述光接收元件;以及像素开关,根据上述解码器电路的一输出信号选择性驱动上述光接收元件。27.如申请专利范围第26项所述之影像侦知器装置,其中上述光接收元件阵列有M种;上述驱动输出电路输出上述位移暂存器的各级信号;上述光接收元件阵列选择控制电路至少有N条控制线,其中,N≧M;以及上述解码器电路具有N个NAND电路或NOR电路,上述驱动输出电路的上述输出信号,输入上述NAND电路或上述NOR电路的一个输入端,又,上述N条控制线连接至互有不同上述NAND电路或上述NOR电路的另一输入端。28.如申请专利范围第22项所述之影像侦知器装置,又包括:一驱动输出电路,具有位移暂存器,用以在预定的时序从上述光接收元件中依序选择一个待驱动的光接收元件;一光接收元件阵列选择控制电路,用以从上述复数个光接收元件阵列中选择一个预定的光接收元件阵列;以及像素开关,根据上述驱动输出电路的一输出信号选择性驱动上述光接收元件。29.如申请专利范围第23项所述之影像侦知器装置,其中在上述各光接收元件阵列中的上述复数个光接收元件在平行于次扫描方向上的边长相等,在上述各光接收元件阵列中的上述复数个光接收元件在平行于主扫描方向上的边长不等。30.如申请专利范围第29项所述之影像侦知器装置,其中构成一光接收元件阵列的每一光接收元件的形状是方形,构成另一光接收元件阵列的每一光接收元件的形状是矩形。31.如申请专利范围第30项所述之影像侦知器装置,其中上述矩形的长边的边长不小于短边的边长的两倍。32.如申请专利范围第14项所述之影像侦知器装置,又包括形成在上述绝缘基底上的复数个光接收元件群组,上述复数个光接收元件群组的光接收面积彼此不同。33.一种影像读取器,用以相对移动原稿与一影像侦知器装置,并读取上述原稿的影像,上述影像读取器包括:一影像侦知器装置,如申请专利范围第22项至第32项中其中一项所述者;一控制信号产生电路,可根据使用者所选择的解析度来产生一个控制信号,以控制上述影像侦知器的动作;以及一驱动电路,可根据上述控制信号,选择性驱动上述光接收元件。图式简单说明:第一图绘示一揭露于日本专利申请案公开号6-276365的习知影像读取器的结构的电路方块图;第二图A和第二图B是第一图的影像读取器的动作时序图;第三图是揭露于日本专利申请案公开号60-22881的传统的影像侦知器的方块图;第四图是本发明案的发明人实验制作的影像侦知器的结构的方块图;第五图是本发明案的发明人实验制作的影像侦知器的结构的剖面图;第六图是本发明案的发明人组合的影像侦知器模组的结构的剖面图;第七图是影像侦知器的输出信号波形图;第八图为如第四图所示影像侦知器的电路配置的立体图;第九图为当影像侦知器于空中时,在时脉1电路和输出电路间的寄生电容所产生的电力线和等位线图;第十图为当如第九图所示的影像侦知器的背面有接地金属面板时,在时脉1电路和输出电路间的寄生电容所产生的等位线图;第十一图为接地金属面板和扫描器模组间的位置关系的立体图;第十二图A说明平行电路形成于矽基底上的模型图;第十二图B说明平行电路形成于玻璃基底上的模型图;第十三图是根据本发明的第一实施例的影像侦知器的架构的方块图;第十四图A为在高解析度模式下,影像侦知器的动作时序图;第十四图B为在低解析度模式下,影像侦知器的动作时序图;第十五图是如第十三图的方块图的具体电路图;第十六图A为当如第十五图所示的影像侦知器在高解析度模式下的动作时序图;第十六图B为其在低解析度模式下的动作时序图;第十七图是根据本发明的第二实施例的影像侦知器的架构的电路图;第十八图A为在高解析度模式下,第二实施例的影像侦知器的动作时序图;第十八图B为在低解析度模式下其动作时序图;第十九图是根据本发明的第三实施例的影像侦知器的架构的电路图;第二十图A为当第三实施例的影像侦知器在高解析度模式下的动作时序图;第二十图B为其在低解析度模式下的动作时序图;第二十一图是根据本发明的第四实施例的影像侦知器的架构的电路图;第二十二图A为当第四实施例的影像侦知器在高解析度模式下的动作时序图;第二十二图B为其在低解析度模式下的动作时序图;第二十三图是根据本发明的第五实施例的影像侦知器的架构的电路图;第二十四图是根据本发明的一实施例的影像读取器的架构的立体图;第二十五图是根据本发明的一实施例的一半导体装置的剖面图;第二十六图A和第二十六图B为根据本发明的实施例的半导体装置的制造方法的流程图;第二十七图A是根据本发明的第六实施例的影像侦知器的架构的电路图;第二十七图B说明第二十七图A的时脉反相器(clocked inverter)的定义的电路图;第二十八图为第六实施例的影像侦知器的动作时序图;第二十九图为第六实施例的影像侦知器的平面配置图;第三十图为第六实施例的影像侦知器的输入电容和杂讯间的关系图;第三十一图是根据本发明的第七实施例的影像侦知器的平面配置图;第三十二图是根据本发明的第八实施例的影像侦知器的平面配置图;第三十三图是根据本发明的第九实施例的影像侦知器的平面配置图;第三十四图是根据本发明的第十实施例的一影像侦知器模组的架构的剖面图;第三十五图为当屏蔽电极仅在一上层(upper layer)之上时,在时脉1电路和输出电路间的寄生电容所产生的等位线图;第三十六图是根据本发明的第十一实施例的一影像侦知器模组的架构的剖面图;以及第三十七图是根据本发明的第十二实施例的一影像侦知器模组的架构的剖面图。 |
