氮化矽系膜之成膜方法

摘要

给予可形成热负载小且氢浓度低的电浆氮化矽系膜之方法。使用具有经予真空排气的反应室之电浆C V D装置，于被处理体上形成氮化矽系膜之方法。各该方法系于前述反应室内导入指定的流量之单矽烷气体(SiH4)及氮气(N2)作为材料气体导入前述反应室内的步骤，以指定的温度热处理前述被处置体的步骤而成。以此时前述氮气之流量为前述单矽烷气体之流量之至少1 0 0倍为特征。

主权项

1.一种氮化矽系膜之成膜方法,系指使用具有经予真空排气的反应室之电浆CVD装置,于被处理体上形成氮化矽系膜之方法,由将指定的流量之单矽烷气体(SiH4)及氮气(N2)作为材料气体导入前述反应室内的步骤,将前述被处置体加热至指定的温度为止的步骤而成,前述氮气之流量为前述单矽烷气体之流量之至少100倍。2.如申请专利范围第1项之方法,其中前述氮化矽系膜为SiN:H或SiON:H。3.如申请专利范围第1项之方法,其中前述指定的温度可再为390-600℃。图式简单说明:第一图为大致表示实施与本发明有关的方法而用之电浆CVD装置之截面图者。第二图为表示习知例、实施例3及实施例6之FT-IR光谱者。第三图为表示习知例、实施例7及实施例8之FT-IR光谱者。