| 主权项 |
1.一种制造复数个Ga(In,A1)N-发光二极体晶片(1)之方法,其须在基板晶圆(19)之主面上沈积复数个Gax(InyA11-y)1-x N-层(18),0≦x≦1且0≦y≦1,此种方法之特征为:-在基板晶圆(19)上施加一种遮罩层(4),-遮罩层(4)设有复数个视窗(10),基板晶圆(19)之主面(9)裸露于视窗(10)中,-Gax(InyA11-y)1-x N-半导体序列(18)沈积在基板晶圆(19)之此种裸露于视窗(10)中之主面(9)上,以便在视窗(10)中产生Ga(In, A1)N-发光二极体结构(2),-这样所制成之晶圆(24)在Ga(In, A1)N-发光二极体结构(3)之间被切割。2.如申请专利范围第1项之方法,其中基板晶圆(19)具有至少一层磊晶沈积之半导体层(6),在半导体层(6)上于视窗(10)中沈积该Gax(InyA11-y)1-xN-半导体层序列(18)。3.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中使用氧化矽层或氮化矽层作为遮罩层(4)。4.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中基板晶圆(19)具有一种生长-基板(3),其基本上是由蓝宝石SiC,Si或GaAs所构成。5.如申请专利范围第2项之方法,其中该半导体层(6)基本上是由InxGal-xN-(0≦x≦1)所构成。6.如申请专利范围第1或2项之方法,其中视窗(10)是藉由一种选择性蚀刻步骤(12)而形成。7.如申请专利范围第6项之方法,其中为了形成该视窗(10)须使用一种非等向性之乾式蚀刻方法。8.如申请专利范围第1项之方法,其中在切割晶圆(24)之前须去除该遮罩层(4)。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该遮罩层(4)在沈积该二极体结构(2)之后藉由选择性蚀刻步骤(14)而去除。10.如申请专利范围第8或第9项之方法,其中为了在沈积该二极体结构(2)之后去除该遮罩层(4),须使用一种等向性之湿式化学蚀刻法方法。图式简单说明:第一图至第六图本实施例之各步骤之图解。第七图一种发光二极体晶片,其依据第二实施例而制成。 |
