| 主权项 |
1.一种旋转涂布机中气流控制之方法,该控制方法至少包含以下步聚:载入晶圆至旋转台上;旋转该旋转台;加入涂布液至该晶圆上;导入吹向该晶圆之气流;感应气体输送管路内之流量变化;及控制该气体输送管路之流量,以控制该气流吹向该晶圆之流速,并藉以控制涂布层之覆盖性。2.如申请专利范围第1项之控制方法,更包含控制上述之导入气流之温度及湿度。3.如申请专利范围第1项之控制方法,其中上述之流量变化,系以量测管路内压力的方式达成。4.如申请专利范围第1项之控制方法,其中上述之气体输送管路流量控制之方法,系以分流方式导出多余之气体流量,以维持输向旋转涂布机台之气体流量之稳定性。5.如申请专利范围第1项之控制方法,系藉由控制该气流吹向该晶圆之流速,控制涂布液之挥发速率,以控制该涂布层内之孔洞产生与否。6.如申请专利范围第1项之控制方法,其中上述之涂布液至少包含旋涂玻璃涂布涂液。7.如申请专利范围第1项之控制方法,其中上述之涂布涂至少包含光阻涂布液。8.如申请专利范围第1项之控制方法,其中上述之流速约为0.04至0.16米/秒之间。9.如申请专利范围第1项之控制方法,其中上述之气流之相对湿度约为35%至40%。10.一种旋转涂布机中气流控制之方法,访控制方法至少包含以下步骤:对晶圆潮行涂布液的旋涂制程;于进行旋涂制程的同时,导入吹向该晶圆之气流;以量测管路内压力的方式,感应气体输送管路内之流量变化;及以分流方式导出多余之气体流量,藉此控制该气体输送管路之流量,以控制该气流吹向该晶圆之流速、并维持输向旋转涂布机台之气体流量之稳定性,藉以控制涂布层之覆盖性。11.如申请专利范围第10项之控制方法,更包含控制上述之导入气流之温度及湿度。12.如申请专利范围第10项之控制方法,系藉由控制该气流吹向该晶圆之流速,控制涂布涂之挥发速率,以控制该涂布层内之孔洞产生与否。13.如申请专利范围第10项之控制方法,其中上述之涂布液至少包含旋涂玻璃玻璃涂布涂。14.如申请专利范围第10项之控制方法,其中上述之涂布涂至少包含光阻旋涂布液。15.如申请专利范围第10项之控制方法,其中上述之流速约为0.04至0.16米/秒之间。16.如申请专利范围第10项之控制方法,其中上述之气流之相对湿度约为35%至40%。17.一种旋转涂布机中气流控制装置,该控制装置至少包含:晶圆旋转系统用以控制晶圆之旋转;涂布液注入系统用以加入涂布液至晶圆上;气体输送系统用以导入气体至涂布机台中,并散布该气体至晶圆上;及气体流量控制装置,设置于该气体输送系统与该旋转涂布机台之间,藉由控制气体输送管路内之压力,以控制该气体之流量。18.如申请专利范围第17项之控制装置,更包含排气系统以抽出流经访晶圆之气体。19.如申请专利范围第17项之控制装置,更包含废液收集系统以回收涂布时散出之涂布液。20.如申请专利范围第17项之控制装置,其中上述之气体输送系统更包含气体湿度控制系统以控制该气体之湿度。21.如申请专利范围第17项之控制装置,其中上述之气流之相对湿度约为35%至40%之间。22.如申请专利范围第17项之控制装置,其中上述之气体流量控制装置至少包含气体流量感测装置,设置于该气体输送管路,内以感测该气体输送路内之流量。23.如申请专利范围第22项之控制装置,其中上述之气体流量感测装置至少包含压力感测装置。24.如申请专利范围第17项之控制装置,其中上述之气体流量控制装置至少包含一分流系统,利用排出多余的气体流量,以控制该气体输送管路内之压力,以维持该气体流量之稳性。25.如申请专利范围第24项之控制装置,其中上述之气体流量控制装置更包含一处理器及一排气阀,该处理器藉由读入该气体输送管路内之压力値,控制该排气阀以藉由该分流系统排出多余的气体流量,并维持该气体输送管路内流量之稳定性。26.如申请专利范围第17项之控制装置,其中上述之气体流量控制装置,系由控制该气流吹向该晶圆之流速,控制涂布液之挥发速率,以控制该涂布层孔洞之产生与否。27.如申请专利范围第17项之控制装置,其中上述之涂布液至少包含旋涂玻璃涂布液。28.如申请专利范围第17项之控制装置,其中上述之涂布液至少含光阻涂布液。29.如申请专利范围第17项之控制装置,其中上述之流速约为0.04至0.16米/秒之间。30.一种旋转涂布机中气流控制装置,该控制装置至少包含:气体输送系统用以导入气体至涂布机台中,并散布该气体至涂布液所涂布之晶圆上;以及气体流量控制装置,设置于该气体输送系统与该旋转涂布机台之间,藉由控制气体输送管路内之压力,以控制该气体之流量,该气体流量控制装置至少包含气体流量感测装置,设置于该气体输送管路内,以感测该气体输送管路内之流量,该气体流理控制装置更包含一分流系统,利用排出多余的气体流量,以控制该气体输送管路内之压力,以维持该气体流量之稳定性。31.如申请专利范围第30项之控制装置,其中上述之气体输送系统更包含气体湿度控制系统以控制该气流之湿度。32.如申请专利范围第30项之控制装置,其中上述之气流之相对湿度约为35%至40%之间。33.如申请专利范围第30项之控制装置,其中上述之气体流量感测装置至少包含压力感测装置。34.如申请专利范围第30项之控制装置,其中上述之气体流理控制装置更包含一处理器及一排气阀,该处理器藉由读入该气体输送管路内之压力値,控制该排气阀以藉由该分流系统排出多余的气体流量,并维持该气体输送管路内流量之稳定性。35.如申请专利范围第30项之控制装置,其中上述之气体流量控制装置,系由控制该气流吹向该晶圆之流速,控制涂布液之挥发速率,以控制涂布层内孔洞之产生与否。36.如申请专利范围第30项之控制装置,其中上述之涂布液至少包含旋涂玻璃涂布液。37.如申请专利范围第30项之控制装置,其中上述之涂布液至少包含光阻涂布液。38.如申请专利范围第30项之控制装置,其中上述之流速约为0.04至0.16米/秒之间。图式简单说明:第一图显示传统进行旋涂制程后之晶圆上局部区域中孔洞缺陷之截面示意图。第二图显示本发明中旋转涂布机中的气流控制装置之系统示意图。第三图显示本发明中旋转涂布机中气流控制方法之流程示意图。第四图显示藉由本发明中之控制方法,可使涂布层覆盖性改善之晶圆局部截面示意图。 |
