| 主权项 |
1.一种降低氮化钛薄膜表面阻値之方法,该方法系 用于制作电性连结结构于具有膜层形成于半导体 基板上,且有一金属层形成于该电性连结结构之表 面的过程,该方法至少包含: 形成一氮化金属层于具有该电性连结结构之该膜 层上及该电性连结结构内之该金属层上,且该膜层 形成于该半导体基板上; 施以一第一次电浆处理于该氮化金属层上; 施以一快速氮化处理于该金属层;及 施以一第二次电浆处理于该氮化金属层上。2.如 申请专利范围第1项之方法,其中上述之电性连结 结构为接触窗。3.如申请专利范围第1项之方法,其 中上述之电性连结结构为介层窗。4.如申请专利 范围第1项之方法,其中上述之膜层厚度为15000埃至 20000埃。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述 之金属层为钛金属层。6.如申请专利范围第1项之 方法,其中上述之氮化金属层为氮化钛层。7.如申 请专利范围第1项之方法,其中上述之第一次电浆 处理为之气体为氮气(N2)、氢气(H2),功率为200至300 watt,处理时间为32秒。8.如申请专利范围第7项之方 法,其中上述之氮气(N2)、氢气(H2)气体流量分别控 制在氮气(N2)范围为300至900sccm与氢气(H2)范围为400 至900sccm。9.如申请专利范围第1项之方法,其中形 成上述之金属层之方法为物理气相沈积法。10.如 申请专利范围第1项之方法,其中形成上述之氮化 金属层之方法为化学气相沈积法。11.如申请专利 范围第1项之方法,其中上述之膜层为二氧化矽(SiO2 )。12.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第 二次电浆处理气体为氮气(N2)、氢气(H2),功率为300 至500watt,处理时间为32至50秒。13.如申请专利范围 第12项之方法,其中上述之氮气(N2)、氢气(H2)气体 流量分别控制在氮气(N2)范围为300至900sccm氢气(H2) 范围为400至900sccm。14.一种降低氮化钛薄膜表面阻 値之方法,该方法系用于制作电性连结结构于具有 膜层形成于半导体基板上,且有一金属层形成于该 电性连结结构之表面的过程,该方法至少包含: 形成一氮化金属层于具有该电性连结结构之该膜 层上及该电性连结结构内之该金属层上,且该膜层 形成于该半导体基板上; 施以一第一次电浆处理于该氮化金属层上; 施以一快速氮化处理于该金属层;及 施以一功率高于300watt,处理时长于32秒之第二次电 浆处理于该氮化金属层上。15.如申请专利范围第 14项之方法,其中上述之电性连结结构为接触窗。 16.如申请专利范围第14项之方法,其中上述之电性 连结结构为介层窗。17.如申请专利范围第14项之 方法,其中上述之膜层厚度为15000埃至20000埃。18. 如申请专利范围第14项之方法,其中上述之金属层 为钛金属层。19.如申请专利范围第14项之方法,其 中上述之氮化金属层为氮化钛层。20.如申请专利 范围第14项之方法,其中上述之第一次电浆处理为 之气体为氮气(N2)、氢气(H2),功率为200至300watt,处 理时间为32秒。21.如申请专利范围第20项之方法, 其中上述之氮气(N2)、氢气(H2)气体流量分别控制 在氮气(N2)范围为300至900sccm与氢气(H2)范围为400至 900sccm。22.如申请专利范围第14项之方法,其中形成 上述之金属层之方法为物理气相沈积法。23.如申 请专利范围第14项之方法,其中形成上述之氮化金 属层之方法为化学气相沈积法。24.如申请专利范 围第14项之方法,其中上述之膜层为二氧化矽(SiO2) 。图式简单说明: 第一图为传统方法之元件经过快速氮化(RTN)制程 后,对应于元件阻値之数据图; 第二图为本发明之形成介电层于半导体基板上之 截面图; 第三图为本发明之形成接触窗之截面图; 第四图为本发明之形成钛金属层于接触窗上之截 面图; 第五图为本发明之形成氮化金属层于钛金属层上 之截面图; 第六图为本发明之形成矽化金属层于接触窗底部 之截面图; 第七图为本发明中以化学气相沈积氮化钛(TiN)薄 膜暴露于大气及施以电浆处理后对应其薄膜电阻 値之数据图;及 第八图为本发明中以化学气相沈积氮化钛(TiN)薄 膜经快速氮化(RTN)制程及暴露于大气中接着施以 电浆处理后其阻値数据图。 |
