| 主权项 |
1.一种处理矽晶圆之装置,包括: 至少二处理室,该至少二处理室系选自形成吸气区 之处理室、形成掺杂剂挥发防止膜之处理室、及 消除氧施者热处理之处理室;及 矽晶圆传送机构,用以将矽晶圆一次一个或一次多 个传送至个别处理室, 其中复数个处理室能同时操作, 其中藉由使用电浆CVD而于矽晶圆的主表面上沈积 非晶矽或藉由使用电浆蚀刻而对矽晶圆的主表面 施加损伤,而形成吸气区;藉中使用电浆CVD以形成 氧化矽膜或氮化矽膜,而形成掺杂剂挥发防止膜; 及藉由使用灯加热之快速热处理,执行消除氧施者 之热处理。2.一种处理矽晶圆之装置,包括: 至少二处理室,该至少二处理室系选自形成吸气区 之处理室、形成掺杂剂挥发防止膜之处理室、及 消除氧施者热处理之处理室;及 矽晶圆传送机构,用以将矽晶圆一次一个或一次多 个传送至个别处理室,复数个处理室系同时操作; 及 控制器,控制处理室及传送机构,以致于可在最短 的可能时间内对衆多矽晶圆执行多种处理。3.如 申请专利范围第1项之处理矽晶圆之装置,其中处 理室系围绕该传送机构配置并连接在一起以形成 群聚形。4.如申请专利范围第2项之处理矽晶圆之 装置,其中处理室系围绕该传送机构配置并连接在 一起以形成群聚形。5.如申请专利范围第2项之处 理矽晶圆之装置,其中藉由使用电浆CVD而于矽晶圆 的主表面上沈积非晶矽或藉由使用电浆蚀刻而对 矽晶圆的主表面施加损伤,而形成吸气区;藉中使 用电浆CVD以形成氧化矽膜或氮化矽膜,而形成掺杂 剂挥发防止膜;及藉由使用灯加热之快速热处理, 执行消除氧施者之热处理。6.如申请专利范围第3 项之处理矽晶圆之装置,其中藉由使用电浆CVD而于 矽晶圆的主表面上沈积非晶矽或藉由使用电浆蚀 刻而对矽晶圆的主表面施加损伤,而形成吸气区; 藉中使用电浆CVD以形成氧化矽膜或氮化矽膜,而形 成掺杂剂挥发防止膜;及藉由使用灯加热之快速热 处理,执行消除氧施者之热处理。7.如申请专利范 围第4项之处理矽晶圆之装置,其中藉由使用电浆 CVD而于矽晶圆的主表面上沈积非晶矽或藉由使用 电浆蚀刻而对矽晶圆的主表面施加损伤,而形成吸 气区;藉中使用电浆CVD以形成氧化矽膜或氮化矽膜 ,而形成掺杂剂挥发防止膜;及藉由使用灯加热之 快速热处理,执行消除氧施者之热处理。8.一种镜 面抛光矽晶圆之制法,包括下述步骤: 根据要制造的镜面抛光矽晶圆之规格,从形成吸气 区之处理、形掺杂剂挥发防止膜之处理、及消除 氧施者之热处理中选择二或更多处理;及 连续地执行所选择的二或更多处理,而不于处理与 处理之间清洁矽晶圆,且此时,其中 一次一个或一次多个矽晶圆会接受个别处理,以致 于可在最短的可能时间内对衆多矽晶圆执行多种 处理。9.如申请专利范围第8项之镜面抛光矽晶圆 之制法,其中藉由使用电浆CVD而于矽晶圆的主表面 上沈积非晶矽或藉由使用电浆蚀刻而对矽晶圆的 主表面施加损伤,而形成吸气区;藉中使用电浆CVD 以形成氧化矽膜或氮化矽膜,而形成掺杂剂挥发防 止膜;及藉由使用灯加热之快速热处理,执行消除 氧施者之热处理。10.一种镜面抛光矽晶圆之制法, 其中使用如申请专利范围第1项之装置,处理矽晶 圆。11.一种镜面抛光矽晶圆之制法,其中使用如申 请专利范围第2项之装置,处理矽晶圆。12.一种镜 面抛光矽晶圆之制法,其中使用如申请专利范围第 3项之装置,处理矽晶圆。13.一种镜面抛光矽晶圆 之制法,其中使用如申请专利范围第4项之装置,处 理矽晶圆。14.如申请专利范围第8项之镜面抛光矽 晶圆之制法,其中要被处理之矽晶圆系从彼此的导 电型及电阻系数不同之衆多矽锭中制造的并于被 处理前会被化学蚀刻。15.如申请专利范围第9项之 镜面抛光矽晶圆之制法,其中要被处理之矽晶圆系 从彼此的导电型及电阻系数不同之衆多矽锭中制 造的并于被处理前会被化学蚀刻。图式简单说明: 第一图系流程图,显示镜面抛光矽晶圆之制造处理 ; 第二图系显示根据本发明之处理矽晶圆装置的实 施例;及 第三图系显示根据本发明之处理矽晶圆装置的另 一实施例。 |
