| 主权项 |
1.一种制造半导体结构的方法,包含的步骤为: 提供具有表面的矽基材; 在矽基材的表面上形成一个介面,其包含矽、氧及 金属;且 在介面上形成一或多层的单晶氧化物。2.如申请 专利范围第1项中之制造半导体结构的方法,其中 形成介面的步骤包括形成一个21的形态。3.如申 请专利范围第1项中之制造半导体结构的方法,其 中形成介面的步骤包括在超高真空系统中形成介 面。4.如申请专利范围第1项中之制造半导体结构 的方法,其中形成介面的步骤包括在化学气相沈积 系统中形成介面。5.如申请专利范围第1项中之制 造半导体结构的方法,其中形成介面的步骤包括在 化学气相沈积系统中形成介面。6.如申请专利范 围第1项中之制造半导体结构的方法,其中形成介 面的步骤包括形成矽、氧、及硷土金属的单一原 子层。7.如申请专利范围第6项中之制造半导体结 构的方法,其中硷土金属是选自钡及锶的族群。8. 如申请专利范围第1项中之制造半导体结构的方法 ,其中形成介面之步骤所包含的步骤为: 形成一半的单层硷土金属; 形成一半的单层矽;且 形成单层氧。9.一种制造半导体结构的方法,包含 的步骤为: 提供具有表面的矽基材; 在矽基材的表面上形成无结晶性之二氧化矽; 在无结晶性之二氧化矽上提供硷土金属;且 将半导体结构加热,以在邻近矽基材的表面形成包 含单一原子层的介面。10.如申请专利范围第9项中 之制造半导体结构的方法,其中加热步骤包括形成 21再建构的介面。图式简单说明: 第一图-第二图说明根据本发明、具有在其上形成 介面之清洁半导体基材的剖面图; 第三图-第六图说明根据本发明、具有由二氧化矽 层形成之介面的半导体基材剖面图;及 第七图-第八图说明根据本发明、在第一图-第六 图中所说明的结构上形成之硷土金属氧化物层的 剖面图。 第九图-第十二图说明根据本发明、在第一图-第 八图的结构上形成之perovskite的剖面图。 第十三图说明根据本发明、在第十二图之具体实 施例层的原子结构侧面图。 第十四图在第十三图之介面、沿着观察线AA的正 面图。 第十五图说明在第十三图之沿着观察线AA的正面 图,包括介面及基材的邻近原子层。 |
