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Die Erfindung betrifft einen Source-Down-Leistungstransistor, bei dem zwischen einer Source-Säule (9) und einer Drain-Säule (10) schmale Trenches (11) vorgesehen sind, die mit isoliertem Polysilizium (14) gefüllt sind, an deren Seitenwänden sich bei positiver Drainspannung und positiver Gatespannung Inversionskanäle ausbilden, in denen ein über die Gatespannung steuerbarer Strom fliesst.
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