发明名称 Ionenimplantationsanlage und Verfahren zur Überwachung eines Faraday-Käfigs in einer Ionenimplantationsanlage
摘要
申请公布号 DE19860779(C2) 申请公布日期 2001.09.06
申请号 DE19981060779 申请日期 1998.12.30
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD., SUWON 发明人 CHO, YEON-HA;GO, SEOK-HO;LEE, JOON-HO;YUN, JAE-IM
分类号 H01J37/304;H01J37/317;H01L21/265;(IPC1-7):H01J37/317 主分类号 H01J37/304
代理机构 代理人
主权项
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