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发明名称
Ionenimplantationsanlage und Verfahren zur Überwachung eines Faraday-Käfigs in einer Ionenimplantationsanlage
摘要
申请公布号
DE19860779(C2)
申请公布日期
2001.09.06
申请号
DE19981060779
申请日期
1998.12.30
申请人
SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD., SUWON
发明人
CHO, YEON-HA;GO, SEOK-HO;LEE, JOON-HO;YUN, JAE-IM
分类号
H01J37/304;H01J37/317;H01L21/265;(IPC1-7):H01J37/317
主分类号
H01J37/304
代理机构
代理人
主权项
地址
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