发明名称 Assembly of power semiconductors with a compensation layer facing the heatsink
摘要 <p>Vorgeschlagen wird eine Vorrichtung mit zumindest einem flächigen Halbleiter (3,4,5) für die Leistungselektronik und einem zur Wärmeaufnahme oder Wärmeabfuhr geeigneten Metallsubstrat (1a,1b,1c), wobei das Metallsubstrat eine für eine Lötung (9) ausgebildete und dem flächigen Halbleiter zugewandte, kühlende Oberfläche (1b") aufweist. Der flächige Halbleiter hat eine zur lötfähigen Oberfläche (1b") ausgerichtete Substratseite (3b). Zwischen Substratseite (3b) und der als Kühlfläche dienenden lötfähigen Metalloberfläche (1b") ist eine Ausgleichsschicht (2a,2b) angeordnet. Die Ausgleichsschicht (2a,2b) weist eine textile metallische Schicht auf, die einen Anteil an metallischen, lötfähigen Fasern enthält, zur Verbindung zumindest der Substratseite (3b) des flächigen Halbleiters (3) mit einer ersten Oberfläche der Ausgleichsschicht (2a,2b) und der Kühlfläche (1b") des Metallsubstrats (1b) mit einer zweiten Oberfläche der Ausgleichsschicht (2a,2b). <IMAGE></p>
申请公布号 EP1130643(A2) 申请公布日期 2001.09.05
申请号 EP20010105300 申请日期 2001.03.05
申请人 D-TECH GMBH ANTRIEBSTECHNIK UND MIKROELEKTRONIK 发明人 GABRIEL, RUPPRECHT
分类号 H01L21/60;H01L23/373;(IPC1-7):H01L23/373 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人
主权项
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