| 发明名称 |
Integrated device including a metal- insulator-metal capacitor |
| 摘要 |
<p>Zur Herstellung eines integrierten Bauelements mit integrierten Metall-Isolator-Metall-Kondensators (7) wird zunächst auf eine untere Elektrode (6) aus Kupfer eine dielektrische Zwischenschicht (11) und eine obere Elektrode (12) ganzflächig abgeschieden. Anschließend erfolgt die Strukturierung des Metall-Isolator-Metall-Kondensators (7) mit Ätzstop in der dielektrischen Zwischenschicht (11). Dadurch werden Kurzschlüsse zwischen der oberen Elektrode (12) und der unteren Elektrode (6) vermieden. <IMAGE></p> |
| 申请公布号 |
EP1130654(A1) |
申请公布日期 |
2001.09.05 |
| 申请号 |
EP20000104264 |
申请日期 |
2000.03.01 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
SCHRENK, MICHAEL;SCHWERD, MARKUS |
| 分类号 |
H01L21/768;H01L21/02;H01L21/3205;H01L21/822;H01L23/52;H01L27/04;H01L29/92;(IPC1-7):H01L29/92 |
主分类号 |
H01L21/768 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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